晶圓級(jí)封裝的工藝流程及晶圓級(jí)封裝清洗劑介紹

什么是晶圓級(jí)封裝：

晶圓級(jí)封裝簡(jiǎn)稱WLP，一種在晶圓級(jí)別進(jìn)行封裝的技術(shù)。與傳統(tǒng)的芯片封裝方式相比，WLP技術(shù)具有更高的集成度、更小的封裝尺寸和更低的成本。通過(guò)在晶圓上進(jìn)行封裝操作，將多個(gè)芯片或器件集成在一個(gè)封裝體內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)更高的性能和更小的體積。

晶圓級(jí)封裝的工藝流程：

晶圓級(jí)封裝的工藝流程是一個(gè)復(fù)雜且精細(xì)的過(guò)程，旨在將芯片從硅晶圓中切割、封裝成具有引腳和保護(hù)外殼的可使用組件。切割晶圓并清洗和檢查后的具體步驟如下：

1、涂覆第一層：通過(guò)涂覆聚合物薄膜以加強(qiáng)芯片的鈍化層，起到應(yīng)力緩沖的作用。聚合物種類有光敏聚酰亞胺（PI）、苯并環(huán)丁烯（BCB）、聚苯并惡唑（PBO）。

2、重布線層：在芯片和載體之間建立電氣連接，通過(guò)焊線鍵合或其他先進(jìn)的封裝技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-In WLCSP）中，通過(guò)濺射工藝在晶圓表面制備金屬膜，利用光刻和電鍍工藝形成金屬引線。對(duì)芯片的鋁/銅焊區(qū)位置重新布局，使新焊區(qū)滿足對(duì)焊料球最小間距的要求。光刻膠作為選擇性電鍍的模板以規(guī)劃RDL的線路圖形，最后濕法蝕刻去除光刻膠和濺射層。

3、涂覆第二層：涂覆聚合物薄膜，使得圓片表面平坦化并保護(hù)重布線層，并在第二層聚合物薄膜光刻出新焊區(qū)位置。

4、凸點(diǎn)下金屬層：采用和重布線層一樣的工藝流程制作。

5、植球：通過(guò)精確利用掩膜板進(jìn)行定位，焊膏和焊料球被準(zhǔn)確地放置在UBM（底層金屬化）上。隨后，這些元件被送回流爐中，焊料在回流過(guò)程中融化，并與UBM形成優(yōu)質(zhì)的浸潤(rùn)性結(jié)合，從而確保了出色的焊接質(zhì)量。

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3805介紹

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3805針對(duì)焊后殘留開(kāi)發(fā)的具有創(chuàng)新型的無(wú)磷無(wú)氮 PH中性配方的濃縮型水基清洗劑。適用于SiP系統(tǒng)封裝清洗及清洗不同類型的電子組裝件上的焊劑、錫膏殘留。由于其PH中性，對(duì)敏感金屬和聚合物材料有極佳的材料兼容性。

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3805的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、本品無(wú)磷、無(wú)氮、清洗能力好。

2、不燃不爆，使用安全，對(duì)環(huán)境友好。

3、材料安全環(huán)保，創(chuàng)造安全環(huán)保的作業(yè)環(huán)境，保障員工身心健康。

4、可極大提高工作效率，降低生產(chǎn)成本。

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3805的適用工藝：

無(wú)磷無(wú)氮水基清洗劑W3805適用于噴淋清洗工藝。

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3805產(chǎn)品應(yīng)用：

W3805是創(chuàng)新型濃縮型水基清洗劑，清洗時(shí)可根據(jù)殘留物的清洗難易程度，用去離子水稀釋后再進(jìn)行使用。

適用于SiP系統(tǒng)封裝清洗及清洗不同類型的電子組裝件上的焊劑、錫膏殘留。由于其 PH 中性，對(duì)敏感金屬和聚合物材料有極佳的材料兼容性。