混合鍵合革命

混合鍵合此前在業界通常被稱為DBI（Direct Bond Interconnect，直接鍵合），20世紀80年代中期，Paul Enquist，Q.Y. Tong和Gill Fountain在三角研究所（RTI）的實驗室首次提出了這一技術，2000年，三人成立了Ziptronix公司，并于2005年推出了一種稱為低溫直接鍵合互連 (DBI) 的技術，這是混合鍵合的第一個版本。

它驗證了低溫直接鍵合（Direct Bond Interconnection, DBI）的可行性，首先準備好晶片具有SiO 2（介電材料）與銅（接點金屬），此時銅部分將會有點略低于介電材料厚度，利用電漿（Plasma）做表面活化處理，將晶片面對面在室溫下進行對位接合，由于凡德瓦力作用已具有一定的接合強度，接著在100℃ 下持溫讓SiO 2與SiO 2之間進行縮合反應，形成強力共價鍵提高接合強度 。接著再將溫度提高到300℃ 至400℃ 持溫，此時由于銅金屬的熱膨脹系數較SiO 2來的大，銅表面將會碰觸在一起，并自然受到一壓應力，促使銅接點進行擴散接合。

目前銅─銅混合鍵合主要分為了三種方式，分別為最常見的晶圓到晶圓（W2W）工藝，芯片到晶圓（D2W）和芯片到晶圓（C2W）工藝，后兩種工藝目前還在研發當中。

其中，W2W 雖然已經實現量產，但它對于上下芯片的大小限制須為一樣大小，否則將有區域浪費；D2W是將切割好的Die用臨時鍵合的方式粘到晶圓上，然后整片地和另一片產品晶圓整片鍵合再解鍵，這項技術容易累計誤差，且成本高，對Die的厚度變化范圍也有較高要求；C2W將切好的Die分別放置晶圓的對應位置上，位置精度雖然提高且厚度變化要求不在嚴苛，但顆粒控制也是影響它繼續普及的問題。

先進芯片封裝清洗：

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

合明科技運用自身原創的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

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