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硅片清洗的步驟
為了解決硅片表面的污染問題,實現硅片表面清潔,我們需要弄清楚硅片表面有哪些污染物,然后選擇適當的硅片清洗方法達到去除的目的。在硅片加工及器件制造過程中,所有與硅片接觸的外部媒介都是硅片污染物的可能來源。這主要包括以下幾方面:硅片加工成型過程中的污染,環境污染,水造成的污染,試劑帶來的污染,工業氣體造成的污染,工藝本身造成的污染,人體造成的污染等。盡管硅片沾污雜質的來源不同,但它們通常可劃分為這幾類。
下面小編給大家分享關于硅片清洗步驟的相關知識，希望能對您有所幫助！
硅片清洗一般程序：
吸附在硅片表面上的雜質可分為分子型、離子型和原子型三種情況。其中分子型雜質與硅片表面之間的吸附力較弱,清除這類雜質粒子比較容易。它們多屬油脂類雜質,具有疏水性的特點,對于清除離子型和原子型雜質具有掩蔽作用。
因此在對硅片進行化學清洗時,首先應該把它們清除干凈。離子型和原子型吸附的雜質屬于化學吸附雜質,其吸附力都較強。
在一般情況下,原子型吸附雜質的量較小,因此在化學清洗時,先清除掉離子型吸附雜質,然后再清除殘存的離子型雜質及原子型雜質。
最后用高純去離子水將硅片沖冼干凈,再加溫烘干或甩干就可得到潔凈表面的硅片。
綜上所述,清洗硅片的一般工藝程序為:去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。
另外,為去除硅片表面的氧化層,常要增加一個稀氫氟酸浸泡步驟。
以上是關于硅片清洗步驟的相關內容介紹了，希望能對您有所幫助！
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