因為專業
所以領先
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在汽車電控系統中發揮著關鍵作用。在電驅系統中,當駕駛新能源汽車時,電機控制器將動力電池放出的直流電(DC)轉變為交流電(AC),這個過程被稱為逆變,從而讓驅動電機工作,電機將電能轉化為機械能,再通過傳動系統讓汽車輪子轉動。IGBT模塊是逆變器的核心部件,其工作原理如下: 通過半導體非通即斷的特性,不考慮過渡過程和寄生效應,將單個IGBT芯片視作理想開關。在模塊內部構建若干個IGBT芯片單元的并串聯結構,當直流電通過模塊時,通過不同開關組合的快速開斷,改變電流的流出方向和頻率,從而輸出期望的交流電。
IGBT模塊的標準封裝形式通常是一個扁平的類長方體,最外面是塑料外殼,底部是導熱散熱的金屬底板(一般為銅材料)。模塊外部有眾多端子和引腳,各自具有特定作用。
IGBT模塊的生產流程具有很高的技術和工藝要求,大致包括:貼片→真空回流焊接→超聲波清洗→X-ray缺陷檢測→引線鍵合→靜態測試→二次焊接→殼體灌膠與固化→端子成形→功能測試(動態測試、絕緣測試、反偏測試)。在貼片環節,首先將IGBT wafer上的每一個die貼片到DBC(覆銅陶瓷基板)上,DBC中間是陶瓷,雙面覆銅,起到導電和電氣隔離作用,常用陶瓷絕緣材料為氧化鋁(Al2O3)和氮化鋁(AlN)。真空焊接時,貼片后通過真空焊接將die與DBC固定,一般焊料是錫片或錫膏。X-ray空洞檢測用于檢測焊接過程中出現的氣泡情況,即空洞,空洞存在會嚴重影響器件的熱阻和散熱效率,導致過溫、燒壞、爆炸等問題,一般汽車IGBT模塊要求空洞率低于1%。接下來是wirebonding工藝,用金屬線將die和DBC鍵合,使用最多的是鋁線,其他常用的包括銅線、銅帶、鋁帶。中間會有一系列的外觀檢測、靜態測試,過程中有問題的模塊直接報廢。重復以上工序將DBC焊接和鍵合到銅底板上,然后是灌膠、封殼、激光打碼等工序。出廠前會做最后的功能測試,包括電氣性能的動態測試、絕緣測試、反偏測試等。
汽車電控IGBT模塊在新能源汽車領域有著廣泛的應用,主要包括以下幾個方面:
電動控制系統:用于大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅動汽車電機。
車載空調控制系統:實現小功率直流/交流(DC/AC)逆變,使用電流較小的IGBT和FRD。
充電樁:在智能充電樁中作為開關元件使用。
IGBT模塊憑借出色的開關特性、耐高溫性、輕量化和極具成本效益等特色,成為各個產業的熱門選擇,包括汽車、工業和可再生能源。在車輛中,IGBT模塊主要作為電氣開關使用,能夠將直流電(DC)轉換成交流電(AC),反之亦然。如電動汽車和混合動力汽車,可用車載逆變器系統來控制電動馬達,其優勢在于改善開關速度、散熱穩定、重量輕巧和成本可控。此外,IGBT模塊在智能電網的發電端、輸電端、變電端及用電端均有應用,在軌道交通的交流傳動系統中,IGBT也是牽引變流器最核心的器件之一。
目前,汽車電控IGBT模塊的主要品牌包括:
國外品牌:英飛凌、富士、三菱、西門康等。
國內品牌:
嘉興斯達半導體股份有限公司:自2005年成立以來,專注于IGBT芯片和模塊的研發、生產與銷售服務,成功研發出全系列IGBT芯片、FRD芯片及IGBT模塊,在新能源汽車、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風力發電、SVG、白色家電等領域得到廣泛應用。
江蘇宏微科技股份有限公司:長期從事電力電子產品研發和生產,專注于設計、研發、生產和銷售功率半導體芯片、單管和模塊,為國家IGBT和FRED標準起草單位提供支持。
南京銀茂微電子制造有限公司:專注于工業和其他應用的功率IGBT和MOSFET模塊產品的設計和制造,2016年通過TS16949認證之后,進入新能源汽車級IGBT/SIC功率模塊生產制造領域,產品廣泛用于工業變頻、新能源、電源裝備、公共交通、航空航天和國防領域等多個領域。
比亞迪半導體有限公司:國內領先的半導體企業,產品涵蓋MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等多個領域,基于高密度TrenchFS的IGBT5.0技術已實現量產,正在積極布局新一代IGBT技術,是國內少數能夠實現車規級IGBT量產裝車的IDM廠商。
上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司:由上汽集團和英飛凌共同出資成立的合資企業,從事車規級IGBT功率模塊的生產、銷售、本土化的應用服務與開發支持,工廠全方位引進了德國英飛凌的先進設備、生產工藝與質量保證體系,建立了國內第一家具備國際領先水平的車規級全自動IGBT模塊封裝測試產線和高度集成的生產制造系統。
近年來,中國新能源汽車產量增長迅速,IGBT作為新能源汽車核心零部件,其需求量也不斷提升。IGBT分為低壓、中壓和高壓,應用場景廣泛,適用于各類需要交流電和直流電轉換及高低電壓轉換的應用場景。在新能源汽車取代燃油汽車的趨勢下,IGBT作為其核心零部件,需求量也將得到提升。
然而,IGBT市場長期被大型國外跨國企業壟斷,近年來國內廠商逐漸發力。在國內新能源汽車IGBT模塊市場中,英飛凌公司占據較大市場份額,中車時代電氣等國內企業的市場份額也在逐漸攀升。隨著市場的發展和國家政策的推動,中國IGBT行業取得了一定的技術進步,國產化趨勢明顯,預計未來市場規模將繼續擴大。
在對IGBT模塊進行檢測和維修時,需要注意以下方面:
極性判斷:將萬用表撥在R×1KΩ擋,若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則此極為柵極(G)。其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,紅表筆接的為集電極(C),黑表筆接的為發射極(E)。
好壞判斷:將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT的發射極(E),此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時IGBT被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置,即可判斷IGBT是好的。
IGBT模塊可能出現多種故障,常見的故障原因及處理方式如下:
過電流損壞:
鎖定效應:IGBT為復合器件,其內有一個寄生晶閘管,當漏極電流大到一定程度時,會發生鎖定效應,導致集電極電流過大,造成器件損壞。
長時間過流運行:IGBT模塊長時間過流運行是指其運行指標達到或超出RBSOA(反偏安全工作區)所限定的電流安全邊界,如選型失誤、安全系數偏小等,電路必須能在電流到達RBSOA限定邊界前立即關斷器件,以保護器件。
短路超時(10us):如果此時IGBT所承受的最大電壓也超過器件標稱值,IGBT必須在更短的時間內被關斷。
過電壓損壞和靜電損壞:IGBT在關斷時,由于逆變電路中存在電感成分,關斷瞬間產生尖峰電壓,如果尖峰電壓超過IGBT器件的最高峰值電壓,將造成IGBT擊穿損壞。多數情況下,可采用電壓鉗位,在集電極-柵極兩端并接齊納二極管,采用柵極電壓動態控制,避免IGBT因受集電極發射極過電壓而損壞。
過熱損壞:過熱損壞一般指使用中IGBT模塊的結溫超過晶片的最大溫度限定,目前應用的IGBT器件還是以Tjmax=150°C的NPT技術為主流,在IGBT模塊應用中其結溫應限制在該值以下。
G-E間開放狀態下外加主電路電壓:在門極一發射極問開放的狀態下外加主電路電壓,會使IGBT自動導通,通過過大的電流,使器件損壞。為防止這種損壞,必須先將主電路(C-E間)的電壓放電至0V,再進行門極信號的切換。
機械應力對產品的破壞:IGBT器件的端子如果受到強外力或振動,就會產生應力,可能導致損壞IGBT器件內部電氣配線等情況,在實際安裝時應避免發生類似的應力。
IGBT芯片封裝清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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