IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,是一種三端半導體開關器件,可用于多種電子設備中的高效快速開關。
IGBT 主要用于放大器,用于通過脈沖寬度調制 (PWM) 切換/處理復雜的波形。
你可以看到輸入側代表具有柵極端子的 MOS管,輸出側代表具有集電極和發射極的 BJT。
集電極和發射極是導通端子,柵極是控制開關操作的控制端子。
IGBT的電路符號與等效電路圖
IGBT 的特性--靜態 VI 特性
下圖顯示了 n 溝道 IGBT 的靜態 VI 特性以及標有參數的電路圖,該圖與 BJT 的圖相似,只是圖中保持恒定的參數是 VGE,因為 IGBT 是電壓控制器件,而 BJT 是電流控制器件。
IGBT的靜態特性圖
當 IGBT 處于關閉模式時(VCE為正且 VGE < VGET),反向電壓被 J 2 阻斷,當它被反向偏置時,即 VCE為負,J 1 阻斷電壓。IGBT的等效電路
IGBT的近似等效電路由 MOS 管和 PNP 晶體管(Q1 )組成,考慮到 n- 漂移區提供的電阻,電阻 Rd已包含在電路中,如下圖所示:
IGBT 的近似等效電路
仔細檢查 IGBT 的基本結構,可以得出這個等效電路,基本結構如下圖所示。等效電路圖的基本結構
穿通 IGBT、PT-IGBT:穿通 IGBT、PT-IGBT 在發射極接觸處具有 N+ 區。觀察上面顯示 IGBT 的基本結構,可以看到到從集電極到發射極存在另一條路徑,這條路徑是集電極、p+、n- 、 p(n 通道)、n+ 和發射極。因此,在 IGBT 結構中存在另一個晶體管 Q2作為 n – pn+,因此,我們需要在近似等效電路中加入這個晶體管 Q2以獲得精確的等效電路。IGBT的精確等效電路圖
該電路中的 Rby 是 p 區對空穴電流的流動提供的電阻。眾所周知,IGBT是 MOS 管的輸入和 BJT 的輸出的組合,它具有與N溝道MOS管和達林頓配置的PNP BJT等效的結構,因此也可以加入漂移區的電阻。車規級IGBT芯片封裝清洗:
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污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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