功率器件按照發展方向可以分為小功率器件和大功率器件。小功率器件的發展方向以追求高集成度、高工作頻率和單位器件的小功率為目的的微電子技術，它是以集成電路為核心的；而大功率器件的發展方向以追求高的工作電流密度、短的開關時間和大的功率為目的的功率電子學。

2 按照發展過程

功率器件按照其發展過程又可分為三類半導體器件，第一類器件是以晶閘管為代表的功率器件，該類器件一旦開啟過后就沒法停止了，因此壽命很短。第二類器件是一種可控型器件，如電力場效應晶體管，該類器件可控制器件的開啟關斷；第三類器件主要以絕緣柵雙極晶體管為代表，它將電力場效應晶體管高耐壓，驅動電路簡單的優點與雙極結型晶體管導通電壓小的優點結合于一體，因此，在高壓高功率電路中得到了廣泛應用。

3 按照半導體材料

功率器件按照半導體材料可分為第一代半導體、第二代半導體與第三代半導體。第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。而第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導體（又稱非晶態半導體），如非晶硅、玻璃態氧化物半導體；有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。

4 按照電流流通路徑

功率器件按照電流流通路徑可以分為橫向功率器件與縱向功率器件。橫向功率器件指器件的漏電極和源電極都在器件上方，電流從漏極流向源極的路徑為橫向。而縱向功率器件指器件的源電極在器件的上方，而漏電流在器件的下方，電流從漏極流向源極的路徑為縱向。如圖為橫向功率器件的代表結構LDMOS（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor）與縱向功率器件的代表結構VDMOS（Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor）元胞結構示意圖。

功率LDMOS與VDMOS相對于普通MOS多了一個漂移區N-Drift，同時MOS的P-sub相當于LDMOS與VDMOS器件的P-body區域， P-body通過P+區域與源電極相連，因此LDMOS與VDMOS的電流路徑相對于普通MOS多了一個漂移區。漂移區的存在增大了器件的電阻，但在電流流通時，漂移區兩端就可承受電壓，因此LDMOS與VDMOS有較高的擊穿電壓。