晶圓清洗工藝之SC清洗

晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或襯底的情況下去除化學(xué)和顆粒雜質(zhì)（下圖）。晶圓清洗是為了預(yù)擴(kuò)散清洗，即使其表面不受金屬、顆粒和有機(jī)物的污染。金屬離子清洗，即去除對(duì)半導(dǎo)體器件運(yùn)行有不利影響的金屬離子；顆粒清洗指的是使用化學(xué)或機(jī)械擦洗去除表面的顆粒，使用兆速清洗和蝕刻后清洗去除蝕刻過(guò)程后留下的光阻和聚合物。

接下來(lái)小編針對(duì)硅晶圓清洗的不同程序，對(duì)SC清洗給大家做個(gè)簡(jiǎn)單介紹，希望能對(duì)您有所幫助！

晶圓 SC清洗

SC清洗包括兩個(gè)步驟，即SC-1和SC-2。SC-1取氫氧化銨（28%）、過(guò)氧化氫（30%）和水，比例為1:1:5，溫度為80～90℃。硅晶圓在此溶液中浸泡10分鐘，并保持高pH值。該方法氧化有機(jī)物（形成二氧化碳、水等），并與金屬（比如Au、Ag、Cu、Ni、Zn、Cr等）形成絡(luò)合物，如Cu(NH3)42+。在此過(guò)程中，天然的氧化層緩慢溶解并重新長(zhǎng)出新的氧化層，從而去除氧化層上的顆粒。NH4OH的用量較少，因?yàn)樗芪g刻Si，使其表面粗糙。

SC-2取鹽酸（73%）、過(guò)氧化氫（73%）和水，比例為1:1:6，溫度為80～90℃。硅晶圓在此溶液中浸泡10分鐘，并保持低pH值。該方法用于去除堿離子和Al3+、Fe3+、Mg2+等在SC-1等堿性溶液中形成的不溶性氫氧化物的陽(yáng)離子。這些金屬會(huì)在SC-1溶液中沉淀到晶圓表面，而在SC2溶液中則形成可溶性配合物。SC-2還能完全去除SC-1步驟無(wú)法完全去除的金屬污染物，如Au。

以上是關(guān)于晶圓清洗工藝之SC清洗的相關(guān)內(nèi)容介紹了，希望能對(duì)您有所幫助！

想要了解關(guān)于晶圓清洗的相關(guān)內(nèi)容，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)我們的“晶圓清洗”專題了解相關(guān)產(chǎn)品與應(yīng)用 ！

合明科技是一家電子水基清洗劑 環(huán)保清洗劑生產(chǎn)廠家,其產(chǎn)品覆蓋助焊劑、PCBA清洗、線路板清洗、電路板清洗、半導(dǎo)體清洗 、芯片清洗、SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗、POP堆疊芯片清洗、倒裝芯片清洗、晶圓級(jí)封裝清洗、助焊劑清洗劑等電子加工過(guò)程整個(gè)領(lǐng)域！