先進封裝平臺5種熱門封裝方式強力介紹與芯片封裝清洗淺談

合明科技發布時間：2023-10-18 ?? 2757 Tags：堆疊封裝系統級封裝 FO封裝

一、FO 封裝

FO封裝包括三大類：核心扇出型（core fan-out）、高密度扇出型（high-density fan-out）和超高密度FO型（ultra highdensity FO）。核心扇出封裝消除了對引線鍵合或倒裝芯片互連的需求，從而提供了改進的 I/O 密度、增強的電氣性能和高效的熱管理；高密度 (HD) FO 進一步采用了相同的概念，采用先進的重新分布層 (RDL) 和互連結構來實現更高的 I/O 密度；超高密度 (UHD) FO 使用更細間距和更高密度的多層 RDL，以在緊湊封裝內提高組件集成度、更大帶寬和高級功能。UHD FO 通常應用于較大的封裝和多芯片集成，使用 IC 基板來彌合扇出封裝和印刷電路板 (PCB) 之間的間隙。

二、晶圓級芯片級封裝 (WLCSP)

WLCSP 涉及將 IC 直接封裝在晶圓上，從而消除了單獨的芯片分割和封裝步驟。WLCSP 具有緊湊的外形尺寸、增強的電氣性能和成本效率，使其成為尺寸、重量和性能至關重要的移動設備和可穿戴設備的理想選擇。

三、fcBGA/CSP

這些技術涉及使用焊料微凸塊或銅柱將 IC 正面朝下直接安裝到有機基板上。與傳統引線鍵合技術相比，倒裝芯片 BGA/CSP 解決方案提供更小的占地面積、更短的互連路徑、更高的 I/O 密度以及更高的電氣性能。這些特性對于服務器、游戲機和網絡設備等 HPC 應用尤其重要。

四、2.5D/3D堆疊封裝

2.5D/3D 堆疊封裝涉及垂直堆疊多個裸片或芯片，形成三維結構。該平臺可實現更高的集成度、更高的性能和更小的外形尺寸，使其成為應對人工智能、5G 和 HPC 應用挑戰的重要技術。2.5D/3D 堆疊封裝中的具體應用包括使用混合鍵合技術的 CIS、用于更快數據訪問和改進內存帶寬的 HBM、用于高度集成系統的 3D-SoC 以及用于提高存儲密度和容量的 3D NAND。

五、系統級封裝 (SiP)

SiP 是一種將多個 IC 或“小芯片”集成到單個模塊中的 AP 類型。這些小芯片可以包括各種組件，例如處理器、存儲器、射頻 (RF) 收發器和電源管理 IC 在封裝內互連。這種高集成度允許將完整的功能系統包含在單個封裝內，使 SiP 成為節省空間的解決方案，非常適合外形尺寸和集成度至關重要的應用，例如移動設備和可穿戴設備。SiP 還在設計和制造方面提供了顯著的靈活性，因為每個小芯片都可以使用最適合其功能的工藝技術來制造。

六、先進芯片封裝清洗：

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

合明科技運用自身原創的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產品。

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