近期，國內又一批半導體產業項目迎來新進展，項目涵蓋半導體材料、半導體設備、半導體封測等領域，涉及企業包括長飛先進半導體、國博電子、長飛光學、甬矽電子、芯陽微電子、華實半導體、安瑞森等。

9月16日，南通偉騰半導體專用材料項目開工儀式舉行。本次開工的半導體專用材料項目，計劃總投資2.4億元，新建廠房及附屬用房3.4萬平方米。項目預計2026年全面達產，年產出晶圓級劃片刀120萬片，實現約2.5億元的銷售額。

據悉，南通偉騰專注于為各類IC晶圓、光學器件、各類傳感器等精密切割工序提供配套產品和服務，公司研發生產的DZY型劃片刀可做到15微米以內的超薄厚度。

據中國光谷消息，9月14日，2023年三季度武漢市重大項目集中開工活動舉行，多個半導體項目涉及在內。

其中，長飛光學與半導體石英元器件研發與產業化項目主要建設高端光學與集成電路制造用石英材料研發基地，實現光學與半導體石英材料國產化替代。

高德微機電與傳感工業技術研究院西區(一期）項目將建設微機電系統設計、工藝、集成的開放性研發平臺。

聯特科技光電集成中心項目建設光電集成設備制造和科技平臺、先進光電集成實驗室及相關配套設施。

鑫威源大功率藍光半導體激光器產業化項位于江夏經濟開發區，總投資10億元，預計2024年12月竣工。廠區建筑面積12000平方米，主要建設一條基于2英寸半導體化合物（GaN）技術的大功率藍光半導體激光器生產線，年產大功率藍光半導體激光器3600萬套。

3.據淮安工業園區消息，9月14日，由江蘇安瑞森電子材料有限公司（以下簡稱“安瑞森”）投資的超大規模高純電子化學品、電子氣體及工業氣體島項目在園區簽約。

消息顯示，該項目將在園區建設12種國內技術領先的電子化學品、電子工業氣體和電子特氣生產線，一期項目建成后總產能約 55 萬噸/年，年產值達15億元。項目建成后將成為全球最高等級的電子化學品和電子特氣綜合類工廠，可為華東地區的半導體、面板、光伏、智能制造提供一攬子整體產品解決方案。

安瑞森成立于2010年，是一家高純電子化學品和電子氣體產品供應商，在國內外擁有9個生產基地。公司專注于為集成電路、平板顯示器、光伏、LED、化工、鋼鐵等行業，提供高質量標準的高純電子化學品、高純電子特氣、現場制氣、氣液系統工程及TGM全面氣體和化學品供應的集成一體化管理解決方案。

4.據長沙發改9月12日消息，華實半導體新材料研發及測試生產基地項目一期于2023年4月啟動建設，目前已全面進入主體施工階段，部分設備已訂購，預計10月完成主體封頂并啟動設備進場安裝。

該項目位于瀏陽經開區，總用地面積約155畝，總建筑面積約16萬平方米。項目一期投資15億，用地76.6畝，建筑面積約8萬平米，新建2棟生產廠房、1棟測試樓、1棟食堂，建設半導體新材料研發及測試生產線。項目二期建設8 棟生產廠房、1棟食堂及倒班宿舍。項目總投資25億元，預計于2024年竣工。

據公開資料顯示，華實半導體于2020年5月成立，經營范圍包括半導體器件專用設備、半導體分立器件、耐火陶瓷制品及其他耐火材料的制造；半導體光電器件制造；智能裝備制造；單晶材料、單晶拋光片及相關半導體材料和超純元素的生產；碳化硅襯底相關半導體材料的生產等。

5.據南京市江寧區人民政府消息，9月10日，國博電子射頻集成產業化（二期）項目在南京江寧開發區開工建設。

國博電子射頻集成產業化項目占地面積約203畝，新建廠房及附屬設施，新增設備五百余臺套。項目分兩期建設，其中一期用地面積約103畝，建筑面積約15.1萬平方米，目前已建成投產；二期用地面積約100畝，建筑面積約7.6萬平方米（本次開工建設）。

射頻集成產業化（二期）項目主要包括廠房、食堂和倒班宿舍等，重點補充射頻集成電路封測制造能力，同時加強園區后勤配套保障能力，建成后與一期形成射頻集成電路規模化設計、制造能力，努力打造成為寬禁帶半導體器件及模塊國內最大供應商、5G通信技術國內發展主要引領者。

6.據成都高新區電子信息產業局消息，9月8日，成都萬應先進封測中試平臺及生產線項目竣工通線。

該項目以高端解決方案和先進封裝工藝為核心，建設高可靠性塑封、高可靠性陶瓷封裝和系統級封裝三條產線，建設可靠性與失效分析實驗室，形成封裝方案設計、仿真、打樣、量產和可靠性與失效分析全產業鏈服務模式，具備高可靠塑封、高端陶瓷封裝、系統級封裝和TSV、RDL等先進封裝技術，能夠完成以線焊、倒裝焊為基礎的先進封裝。

資料指出，成都萬應微電子有限公司成立于2021年，是成都高新區“岷山行動”首批重點引進的微電子先進封測企業，并在政府支持下，成立“岷山微電子先進封測技術研究院”。公司重點聚焦射頻SiP、散熱器、高可靠塑封等先進封裝領域，為高端集成電路設計企業、高校和科研院所等提供封裝服務。

兩大半導體項目簽約落戶南通

7.南通市北高新消息，9月8日，半導體晶圓載具制造項目簽約儀式、菲萊半導體測試設備制造項目簽約儀式在南通市北高新區舉行。

半導體晶圓載具制造項目總投資6.5億元，用地約42畝，總建筑面積超5萬平方米，將從事晶圓載具、IC托盤、IC載帶的研發、生產和銷售。

菲萊半導體測試設備制造項目總投資2億元，擬租用中南車創1萬平方米廠房，將從事碳化硅晶圓老化和測試設備等產品的研發、生產和銷售。

8.據甬矽電子官微消息，9月7日，甬矽電子（寧波）股份有限公司集成電路IC芯片封測項目二期落成大典在寧波余姚隆重舉行。

據悉，甬矽二期項目總占地500畝，一階段完成建設300畝，總投資111億，滿產將達到年產130億顆芯片。二期產品線會和一期相輔相成，既有成熟封裝QFN產品線，廣泛用于汽車電子與工規產品的QFP產品線，應用于網絡服務器、CPU處理器、AI智能產品上的大顆FCBGA產品線，還有代表先進封裝發展方向的Bumping、WLCSP、Fan-In/Out產品線等。

據自貢發布消息，9月7日，國內一科技公司與自貢市沿灘區簽訂項目合作協議，擬投資年產10萬噸高端光刻膠及超凈半導體功能化學品產業化項目。

該項目擬投資10億元，占地約140畝，計劃建設光刻膠、電子級雙氧水、電子級硝酸、電子級氫氟酸、刻蝕液、顯影液、剝離液、清洗液、高純電子級硫酸以及溶劑回收等生產線。項目建成達產后，預計年銷售收入超17億元。

9.9月6日，由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導、國家第三代半導體技術創新中心主辦的第三代半導體產業創新發展大會在江寧開發區舉行。

會上，多個超百億元產業項目簽約，國家第三代半導體技術創新中心（南京）集中發布重大科技攻關成果，同時宣布一期項目竣工投產。

當前，國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目已經竣工投產，隨著一期項目投運，二期項目的建設也排上日程，媒體報道二期項目將于2024年開建，規劃年產20萬片8英寸圓片。

9月6日，第二十三屆投洽會廈門市重大項目廈門集中開竣工活動同安分會場暨芯陽微電子研發及智能制造項目開工活動舉行。此次開工儀式的成功舉行，標志著芯陽微電子研發及智能制造項目正式進入施工建設階段

據介紹，依托廈門同翔高新城的門戶樞紐優勢及高端定位，本項目總用地面積3.7萬平方米，總建筑面積11萬平方米。擬建設2棟綜合廠房、1棟辦公樓、1棟宿舍樓及12條半自動化生產線，同時引進先進的AOI、SMT貼片機、插件機、波峰焊等自動化設備。項目整體投入使用并達到穩定運營后，預計新增生產能力5.7億套微電子控制器。建成達產后可實現年產值約12億元。

芯陽微電子的集成電路產品涵蓋小家電專用控制芯片、電池充電控制芯片、電源管理類芯片、LED驅動芯片、消防產品專用控制芯片等。

11.據“中科艾爾科技有限公司AR”消息，9月4日，滄州市舉行2023年第三季度重點項目推進會，渤海新區、黃驊市分會場設在港城產業園區中科艾爾（滄州）精密制造有限公司項目現場。

目前，中科艾爾二期項目開工建設，新項目占地13.3萬平米,建筑面積約12萬平米，建設內容為年產500萬件的超潔凈氣路系統關鍵零部件生產線、年產1000萬米的超潔凈管件生產線、年產7萬個半導體級源瓶以及16萬個半導體級瓶閥的超潔凈存儲集成生產線。

消息稱，該項目建成后，將成為國內唯一的產研一體、鏈條閉環的集成電路氣路系統核心零部件研發生產基地，強力支撐國內芯片生產的自主可控、國產替代戰略。

據蘇州納米城消息，9月2日，蘇州工業園區在桑田科學島舉辦國家生物藥技術創新中心、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）總部大樓開工儀式。

國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）（以下簡稱“國創中心”）作為兩中心之一，總部位于整個桑田科學島的核心區域，將致力于打造核心產業展示區，未來創新中心示范標桿。

據了解，國創中心于2021年3月由科技部批復建設，由蘇州第三代半導體技術國創中心（事業單位）抓總統籌，江蘇第三代半導體研究院主體承建，蘇州納米科技發展有限公司保障載體建設開發。截至目前，該中心已承擔上級研發項目10項，完成4款電路芯片設計，在氮化鎵單晶、氮化鎵外延片等方面取得重要突破，部分指標國際領先，累計申請專利260多件。

13.據“蘇州發布”消息，9月2日，蘇州市委市政府召開推進大會。會上，路芯半導體掩膜版研發及產業化基地簽約落地蘇州工業園區。

據了解，該項目預計總投資人民幣20億元，項目公司將依托路維光電在掩膜版領域的技術基礎，深耕半導體掩膜版領域，建設130nm-28nm制程節點的半導體掩膜版產線。

公開資料顯示，江蘇路芯半導體技術有限公司是一家半導體掩膜版研發生產商，主要從事半導體掩膜版等相關半導體器件的研發生產業務。建設有130nm-28nm制程節點的半導體掩膜版產線。

14.據中國光谷消息顯示，9月1日，長飛先進半導體武漢基地開工。

長飛先進半導體項目位于光谷科學島，項目總投資預計超過200億元。其中，項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。一期項目預計2025年建設完成，屆時將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地，產能規模將居行業領先地位。

根據資料，安徽長飛先進半導體有限公司專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品研發及制造，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力。