一、什么是IGBT

定義:

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) 是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，與MOSFET(絕緣柵型場效應管)結構功能相似，可控制的電壓范圍更高。

半導體產業 分成四種類型:集成電路，分立器件，傳感器和光電子，其中IGBT屬于分立器件的一種。

特點:

IGBT可以被認為是一個MOSFET和一個BJT(雙極型極管)混合形成的器件，但相比于MOSFET制造難度更高、結構更復雜，可承受的電壓也更大。一般 MOSFET 器件或模組的可承受電壓范圍為 20-800V，而IGBT 可承受1000V以上的高電壓，因而是電力電子領域較為理想的開關器件。

主要功能:

IGBT通過脈寬調制，可以把輸入的直流電變成人們所需要頻率的交流電，或者反過來。主要用于變頻逆變和其他逆變電路，被稱為是電力電子裝置的“CPU”

主要產品形式:

模組和分立器件兩種形式，一般通俗的說IGBT指模組，IGBT模塊是由IGBT分立器件與快恢復二極管芯片通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

三、IGBT 模塊清洗

為應對能源危機和生態環境惡化等問題，世界各國均在大力發展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應用，促進了大功率電力電子變流裝置的廣泛應用。大功率變流裝置的可靠性對這些應用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關。

目前，大量的IGBT仍在采用傳統的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環保的管控和對產品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護芯片獨特的材料；配方材料親水性強，清洗后易于用水漂洗干凈。

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