一、硅晶圓制造與切割

晶圓是制作硅半導體IC所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「硅」， IC（Integrated Circuit）廠用的硅晶片即為硅晶體，因為整片的硅晶片是單一完整的晶體，故又稱為單晶體。但在整體固態晶體內，眾多小晶體的方向不相，則為復晶體（或多晶體）。

晶圓是硅元素加以純化，經過照相制版、研磨、拋光、切片等程序將多晶硅融解拉出單晶硅棒，然后切割成一片片晶圓。

二、光學顯影

光學顯影是在感光膠上經過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉換到感光膠下面的薄膜層或硅晶上。光學顯影主要包含了感光膠涂布、烘烤、光罩對準、 曝光和顯影等程序。

曝光方式有紫外線、X射線、電子束、極紫外光等。

三、蝕刻技術

蝕刻技術（Etching Technology）是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術。可以分為:

濕蝕刻（wet etching）:濕蝕刻所使用的是化學溶液，在經過化學反應之后達到蝕刻的目的。

干蝕刻（dry etching）:干蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（plasma etching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（Radical）與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的復合作用。

四、CVD化學氣相沉積

這是利用熱能、電漿放電或紫外光照射等化學反應的方式，在反應器內將反應物（通常為氣體）生成固態的生成物，并在晶片表面沉積形成穩定固態薄膜（film）的一種沉積技術。CVD技術是半導體IC制程中運用極為廣泛的薄膜形成方法，如介電材料（dielectrics）、導體或半導體等薄膜材料幾乎都能用CVD技術完成。

常用的CVD技術有：

(1)常壓化學氣相沉積（APCVD）；

(2)低壓化學氣相沉積（LPCVD）；

(3)電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）

較為常見的CVD薄膜包括有： 

■ 二氣化硅（通常直接稱為氧化層） 

■ 氮化硅 

■ 多晶硅 

■ 耐火金屬與這類金屬之其硅化物 

CVD的反應機制主要可分為五個步驟：

(1)在沉積室中導入氣體，并混以稀釋用的惰性氣體構成「主氣流（mainstream）」；

(2)主氣流中反應氣體原子或分子通過邊界層到達基板表面；

(3)反應氣體原子被「吸附（adsorbed）」在基板上；

(4)吸附原子（adatoms）在基板表面移動，并且產生化學反應；

(5)氣態生成物被「吸解（desorbed）」，往外擴散通過邊界層進入主氣流中，并由沉積室中被去除。

 五、物理氣相沉積（PVD）

這主要是一種物理制程而非化學制程。此技術一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個個濺擊出來，并使被濺擊出來的材質（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。　

PVD以真空、測射、離子化或離子束等方法使純金屬揮發，與碳化氫、氮氣等氣體作用，加熱至400～600℃（約1～3小時）后，蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等1～10μm厚之微細粒狀薄膜。　

PVD可分為三種技術：

(1)蒸鍍（Evaporation）；(2)分子束磊晶成長（Molecular Beam Epitaxy；MBE）；(3)濺鍍（Sputter）

解離金屬電漿是最近發展出來的物理氣相沉積技術，它是在目標區與晶圓之間，利用電漿，針對從目標區濺擊出來的金屬原子，在其到達晶圓之前，加以離子化。離子化這些金屬原子的目的是，讓這些原子帶有電價，進而使其行進方向受到控制，讓這些原子得以垂直的方向往晶圓行進，就像電漿蝕刻及化學氣相沉積制程。這樣做可以讓這些金屬原子針對極窄、極深的結構進行溝填，以形成極均勻的表層，尤其是在最底層的部份。 

 六、化學機械研磨技術 

化學機械研磨技術（化學機器磨光， CMP）兼具有研磨性物質的機械式研磨與酸堿溶液的化學式研磨兩種作用，可以使晶圓表面達到全面性的平坦化，以利后續薄膜沉積之進行。 

在CMP制程的硬設備中，研磨頭被用來將晶圓壓在研磨墊上并帶動晶圓旋轉，至于研磨墊則以相反的方向旋轉。在進行研磨時，由研磨顆粒所構成的研漿會被置于晶圓與研磨墊間。影響CMP制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉速度、研漿與研磨顆粒的化學成份、溫度、以及研磨墊的材質與磨損性等等。

  七、光罩檢測

光罩是高精密度的石英平板，是用來制作晶圓上電子電路圖像，以利集成電路的制作。光罩必須是完美無缺，才能呈現完整的電路圖像，否則不完整的圖像會被復制到晶圓上。光罩檢測機臺則是結合影像掃描技術與先進的影像處理技術，捕捉圖像上的缺失。 

當晶圓從一個制程往下個制程進行時，圖案晶圓檢測系統可用來檢測出晶圓上是否有瑕疵包括有微塵粒子、斷線、短路、以及其它各式各樣的問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進行深次微米范圍之瑕疵檢測。

一般來說，圖案晶圓檢測系統系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進行底層圖案消除，以辨識并發現瑕疵。

 八、清洗

清洗的目的是去除金屬雜質、有機物污染、微塵與自然氧化物；降低表面粗糙度；因此幾乎所有制程之前或后都需要清洗。

九、晶片切割（Die Saw）

晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（die）切割分離。首先必須進行晶圓黏片，在晶圓上貼一層膠帶，然后送至晶片切割機上進行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。 

 十：焊線（Wire Bond）

將集成電路內部的線路引出，并向外拉出引線，稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。 

  十一、封膠（Mold）

封膠之主要目的為防止濕氣由外部侵入、以機械方式支 持導線、內部產生熱量之去除及便于手持。其過程為將導線架置于框架上并預熱，再將框架置于壓模機上的構裝模上，再以樹脂充填并待硬化。  

  十二、剪切/成形（Trim /Form）

 剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，并把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預先設計好之形狀，以便于裝置于電路版上使用。

十三：芯片測試和檢驗過程

這些測試和檢驗就是保證封裝好芯片的質量，保證其良率的。

芯片封裝清洗：

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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