第三代半導(dǎo)體的簡(jiǎn)述

現(xiàn)在主流的芯片是硅基芯片，在日常生活中應(yīng)用的最為廣泛。

因?yàn)樗l(fā)展的時(shí)間長(zhǎng)、產(chǎn)業(yè)鏈成熟度高，成本較低，所以能夠大規(guī)模應(yīng)用，在我們的手機(jī)里、電腦里......

然而，經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，硅基芯片遇上了摩爾定律的“瓶頸”，發(fā)展的空間變得狹小了。

另外，受制于硅基材料的物理性能，硅基芯片在光伏、新能源汽車(chē)等新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展受阻。

正好恰逢其時(shí)，新能源產(chǎn)業(yè)的興盛崛起，第三代半導(dǎo)體嶄露頭角，大放光彩。

第三代半導(dǎo)體，是繼以硅基芯片為代表的第一代半導(dǎo)體和以砷化鎵為代表的第二代半導(dǎo)體之后，迅速發(fā)展起來(lái)的一種化合物半導(dǎo)體。

它的禁帶寬度（eV）寬、電子飽和漂移速度快、熱導(dǎo)率高，所以第三代半導(dǎo)體耐壓性高、高頻性能好、散熱快，在通信射頻和新能源領(lǐng)域具有明顯的優(yōu)勢(shì)，硅基芯片完全不是對(duì)手。

所以，第三代半導(dǎo)體的興起，與近些年來(lái)新能源產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展密不可分，作為新能源產(chǎn)業(yè)所需的功率芯片有無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。

雖然它起步于上世紀(jì)90年代，比硅基芯片的發(fā)展時(shí)間要短，但是其發(fā)展快，前景大。

發(fā)展至今，目前發(fā)展比較成熟的第三代半導(dǎo)體品類(lèi)有兩種，分別是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。

氮化鎵主要應(yīng)用在手機(jī)充電器、衛(wèi)星通信等民用領(lǐng)域和雷達(dá)等軍事領(lǐng)域。

而碳化硅主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、電力設(shè)備、新能源等民用領(lǐng)域和噴氣式發(fā)動(dòng)機(jī)等軍用領(lǐng)域。

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