小米3納米工藝手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片流片報(bào)道

小米公司在芯片研發(fā)領(lǐng)域取得了重大突破，成功流片國(guó)內(nèi)首款3nm工藝的手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片，這一消息受到廣泛關(guān)注 。許多網(wǎng)友和業(yè)內(nèi)人士對(duì)小米的這一成就表示贊賞，認(rèn)為這是中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的一大進(jìn)步，還有網(wǎng)友猜測(cè)小米15可能會(huì)使用該芯片 。北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局總經(jīng)濟(jì)師唐建國(guó)表示，小米公司成功流片國(guó)內(nèi)首款3nm手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片，所謂流片，就是像流水線一樣通過(guò)一系列工藝步驟制造芯片，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是芯片公司將設(shè)計(jì)好的方案，交給晶圓制造廠，先生產(chǎn)少量樣品，檢測(cè)一下設(shè)計(jì)的芯片能不能用，根據(jù)測(cè)試結(jié)果決定是否要優(yōu)化或大量生產(chǎn) 。這一成果標(biāo)志著我國(guó)在高端芯片技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，也代表了小米在手機(jī)芯片自研領(lǐng)域的重大突破 。

國(guó)內(nèi)首款3納米工藝手機(jī)芯片的技術(shù)特點(diǎn)

目前關(guān)于小米這款3nm工藝手機(jī)芯片的技術(shù)特點(diǎn)并沒(méi)有太多詳細(xì)報(bào)道。但從3nm工藝本身的特性來(lái)看，一般而言，3nm工藝相比之前的5nm和7nm工藝，在性能、功耗和面積（PPA）方面有顯著提升。3nm工藝可以帶來(lái)更高的晶體管密度、更低的功耗和更高的運(yùn)算速度。例如，臺(tái)積電的3nm工藝與N5工藝（屬于5納米工藝節(jié)點(diǎn)的一部分）相比，在相同功率下速度提高了18%，或者在相同速度下功率降低了32%，邏輯密度增加了約60% 。從宏觀上看，采用3nm芯片的手機(jī)可能會(huì)擁有更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間、更流暢的多任務(wù)處理能力以及更強(qiáng)大的運(yùn)算性能等優(yōu)勢(shì)。由于3nm工藝能夠提高晶體管密度，這可能會(huì)讓芯片在集成更多功能模塊的同時(shí)，還能保持較小的芯片面積，有助于手機(jī)內(nèi)部空間的優(yōu)化布局等。

小米公司芯片研發(fā)歷程

小米的造芯之路始于2014年10月，當(dāng)時(shí)小米成立全資子公司北京松果電子，正式進(jìn)軍手機(jī)芯片領(lǐng)域 。經(jīng)過(guò)多年的前期設(shè)計(jì)、流片、回片、片選和量產(chǎn)等工作，小米終于在2017年2月發(fā)布了首款自研SoC芯片澎湃S1。澎湃S1采用8核64位架構(gòu)，主頻達(dá)2.2GHz，采用了Mali - T860GPU，搭載于小米5C手機(jī)中，這使得小米成為繼蘋(píng)果、三星、華為之后，全球第四家擁有自主研發(fā)手機(jī)芯片的手機(jī)廠商 。2021年3月，小米MIX FOLD首發(fā)自研影像芯片澎湃C1，其研發(fā)持續(xù)了兩年，資金投入近1.4億元，這是小米涉足自研芯片以來(lái)推出的第二款產(chǎn)品。2021年12月31日晚8時(shí)，小米12系列首發(fā)開(kāi)售，小米12 Pro首發(fā)了自研的澎湃芯片P1充電管理芯片，突破了120W快充與大容量電池?zé)o法兼容的難題，填補(bǔ)了行業(yè)120W單電芯的技術(shù)空白 。在不斷探索和研發(fā)的過(guò)程中，小米在芯片研發(fā)方面持續(xù)投入，逐步積累技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，直至成功流片國(guó)內(nèi)首款3nm工藝的手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片。

3納米工藝在手機(jī)芯片中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

3nm工藝在手機(jī)芯片中的應(yīng)用具有多方面的優(yōu)勢(shì)。首先在性能方面，由于3nm工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更高的晶體管密度，更多的晶體管集成在芯片上意味著可以構(gòu)建更復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)，從而提高芯片的運(yùn)算能力。例如在處理復(fù)雜的圖像、視頻渲染或者多任務(wù)處理時(shí)，能夠更加快速高效地完成任務(wù)。其次是功耗方面，較小的晶體管尺寸意味著電子在電路內(nèi)行進(jìn)的距離更短，需要更少的能量來(lái)移動(dòng)，從而降低了芯片的功耗。這直接體現(xiàn)在手機(jī)上就是電池續(xù)航時(shí)間的延長(zhǎng)，例如在相同的使用場(chǎng)景下，采用3nm工藝芯片的手機(jī)電池消耗速度會(huì)比采用較大工藝芯片的手機(jī)更慢。再者，3nm工藝有助于減少芯片的發(fā)熱量，因?yàn)殡娮右苿?dòng)距離短，以熱量形式損失的能量更少。較低的發(fā)熱量不僅可以提升手機(jī)的穩(wěn)定性，還能避免因?yàn)檫^(guò)熱導(dǎo)致的性能降頻等問(wèn)題。此外，3nm工藝芯片的出現(xiàn)也有助于推動(dòng)手機(jī)朝著更小、更輕薄的方向發(fā)展，因?yàn)樵诒ＷC性能的前提下，芯片面積可以更小，這對(duì)于手機(jī)內(nèi)部空間的布局優(yōu)化具有重要意義。最后，從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)角度來(lái)看，采用3nm工藝的芯片可以提升手機(jī)的整體競(jìng)爭(zhēng)力，使手機(jī)在高端市場(chǎng)更具吸引力 。

其他手機(jī)廠商3納米工藝芯片進(jìn)展

其他手機(jī)廠商在3nm工藝芯片方面也有相應(yīng)的進(jìn)展。高通在2024年10月21日發(fā)布了旗艦級(jí)移動(dòng)平臺(tái)驍龍8Elite（驍龍8至尊版），這是高通首次將其自研的Oryon CPU應(yīng)用到智能手機(jī)芯片中的產(chǎn)品，該芯片采用了3nm工藝 。聯(lián)發(fā)科天璣9400也已經(jīng)發(fā)布，這款基于臺(tái)積電第二代3nm制程的芯片，被vivo率先搭載，不僅在性能上實(shí)現(xiàn)了飛躍，更在能效和發(fā)熱控制上有了顯著提升 。聯(lián)發(fā)科首款采用臺(tái)積公司3nm制程的天璣旗艦芯片于2024年下半年上市，為新世代終端設(shè)備注入強(qiáng)大實(shí)力 。可以看出，隨著技術(shù)的發(fā)展，3nm工藝芯片正在逐漸成為手機(jī)高端市場(chǎng)的主流配置，各手機(jī)廠商和芯片制造商都在積極布局，以提升自身產(chǎn)品在市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力。

SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗劑W3800介紹

SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗劑W3800是針對(duì)PCBA（印刷線路板組裝）焊后清洗開(kāi)發(fā)的一款濃縮型環(huán)保水基清洗劑。主要用于清除電子組裝件PCBA、功率LED器件及引線框架型分立器件上的錫膏或者助焊劑殘留物。特別適用于助焊劑殘留較多且頑固的PCBA清洗，本品在材料兼容性方面表現(xiàn)優(yōu)越，適應(yīng)于超聲、噴淋等多種清洗工藝。

SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗劑W3800的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、用去離子水按一定比例稀釋后不易起泡，可以應(yīng)用在在線和離線式噴淋清洗設(shè)備中。

2、清洗負(fù)載能力高，可過(guò)濾性好，具有超長(zhǎng)的使用壽命，維護(hù)成本低。

3、適用于具有高精密、高潔凈清洗要求的精密電子零件的清洗，特別適用于針對(duì)細(xì)間距和低底部間隙元器件的清洗應(yīng)用。

4、濃縮型產(chǎn)品應(yīng)用更寬廣，選擇不同的稀釋比例靈活清洗不同殘留。

5、對(duì)市場(chǎng)上大多數(shù)種類(lèi)型的助焊劑和錫膏焊后殘留均具有良好的清洗效果。

SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗劑W3800的適用工藝：

W3800水基清洗劑適應(yīng)于超聲、噴淋等多種清洗工藝。

SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗劑W3800產(chǎn)品應(yīng)用：

W3800在材料兼容性方面表現(xiàn)優(yōu)越，主要用于清除電子組裝件PCBA、功率LED器件及引線框架型分立器件上的錫膏或者助焊劑殘留物。特別適用于助焊劑殘留較多且頑固的PCBA清洗，清洗時(shí)可根據(jù)PCBA殘留物的狀態(tài)，將本品按一定比例稀釋后再進(jìn)行使用，一般稀釋比例應(yīng)控制在 1:3～1:5。