一、國產存儲芯片發展現狀

存儲芯片又稱半導體存儲器，是現代信息產業應用最廣的核心零部件之一，可存儲程序代碼以處理各類數據，并存儲數據處理過程中的中間數據和最終結果，廣泛應用于內存、U盤、消費電子、智能終端、固態存儲硬盤等領域，是基礎性通用集成電路產品。

在國家政策大力支持下，我國存儲芯片行業發展迅速。國家在2022年1月發布的《國務院關于印發“十四五”數字經濟發展規劃的通知》，對半導體存儲器行業發展有促進作用，刺激企業提升自主研發能力、提高國內半導體存儲器企業的整體競爭力。

從產業鏈來看，上游主要是硅片、光刻膠、靶材和拋光材料等原材料和光刻機、刻蝕設備等半導體設備相關企業；中游為各類存儲芯片產品；下游應用場景廣闊，涵蓋消費電子、信息通信、汽車電子和高新科技等領域。

目前，以長江存儲和長鑫存儲為代表的本土存儲器廠商在產品技術和市場拓展方面持續突破和大力投入，推動著國產存儲器市場加速發展。例如長江存儲的128層NAND閃存已經量產，并且已向少數客戶交付了其內部開發的192層3D NAND閃存樣品；長鑫存儲在DRAM方面雖然與國際大廠仍有差距，但也在不斷發展，目前處于1Xnm（16nm - 19nm）階段。

然而，與國際領先水平相比，國產存儲芯片仍存在一定差距。在全球存儲芯片市場中，像DRAM市場被三星、SK海力士、美光占據絕大部分份額；NAND Flash市場由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士、英特爾六大原廠主導，中國大陸企業市場份額較低。

二、國產存儲芯片市場規模

在國內市場，存儲芯片一直是集成電路市場份額占比最大的產品類別。2021年我國存儲芯片市場規模達5494億元，受存儲芯片價格上漲影響，規模進一步提升。據預計國內存儲芯片市場規模2023年有望達5400億元。2024年，由于全球存儲渠道行情整體向上，市場需求大幅提升，DRAM市場規模將增至780億美元，這也會對國產存儲芯片市場規模產生積極影響。

從投融資方面看，我國存儲芯片投融資較為活躍，2022年存儲芯片投融資事件16起，投融資金額58.23億元。預計2023年存儲芯片投融資事件18起，投融資金額75億元，這表明市場對國產存儲芯片行業發展的看好，也為行業發展提供了資金支持，有助于進一步擴大市場規模。

三、國產存儲芯片技術特點

• 技術追趕與突破

• 在NAND閃存技術方面，國內的長江存儲取得了顯著成果。國外先進廠商如三星等在NAND閃存技術上不斷發展，已經實現了較高層數的堆疊量產，如176層閃存，美光甚至宣布了232層3D NAND存儲解決方案。而長江存儲128層NAND閃存已經量產，并且已向少數客戶交付192層3D NAND閃存樣品，體現了國產存儲芯片在技術上的追趕態勢，不斷縮小與國際領先水平的差距。

• 在DRAM技術上，國際大廠三星、SK海力士、美光制程工藝較為先進，已進入1anm（10nm）的研發階段，而國內的長鑫存儲目前處于1Xnm（16nm - 19nm）階段。雖然存在差距，但也在努力發展，從無到有逐步提升技術水平。

• 創新技術應用

• 一些國產存儲芯片企業在技術創新上有所突破。例如新存科技發布的NM101芯片采用了創新的三維堆疊技術，基于新型材料電阻變化的原理，利用先進工藝制程，在單顆芯片上集成了百億數量的非易失性存儲器件，實現了存儲架構上的重大突破。該芯片與市場上大容量非易失性產品相比，單顆芯片容量達64Gb，支持隨機讀寫，較市面已有大容量非易失性產品讀寫均提速10倍以上的同時壽命也增加了5倍，展現出了獨特的技術優勢。

四、國產存儲芯片主要廠商

• 長江存儲

• 長江存儲以武漢為基地，主要生產3D NAND閃存。在技術研發上成果顯著，如128層NAND閃存已經量產，并且在向更先進的技術層級探索，已向少數客戶交付192層3D NAND閃存樣品，這使其在國內NAND閃存領域處于領先地位，也提升了國產存儲芯片在全球市場的競爭力。

• 長鑫存儲

• 在DRAM領域發揮著重要作用。長鑫存儲的產能不斷提升，2020年、2021年分別實現了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標，2022年的產能目標是12萬片晶圓/月，未來的產能目標是30萬片晶圓/月。雖然與國際DRAM大廠在制程工藝上存在差距，但長鑫存儲的發展為國內DRAM產業的發展奠定了基礎，減少了對國外產品的依賴。

• 得一微電子

• 成立于2017年，是全球重要的閃存控制芯片供應商。總部設在深圳，主要為行業客戶提供存儲控制芯片、工業用存儲模組、IP及設計服務在內的一站式存儲解決方案，產品覆蓋消費級、企業級、工業級、汽車級應用。其建立了通用存儲(USB/SD)、嵌入式存儲(UFS/eMMC/SPI - NAND)和SSD存儲(SATA/PCIe)的完整存儲產品線，累計出貨超10億套，并且其存儲控制芯片已全面支持長江存儲歷代NAND Flash顆粒。

除了上述廠商外，根據2022年的調研分析報告，國內還有眾多存儲器IDM和fabless廠商、存儲主控芯片廠商以及存儲產品相關廠商，共梳理出30家國產存儲器及主控芯片廠商，這些廠商在存儲芯片行業的不同領域發揮著各自的作用。

五、國產存儲芯片未來趨勢

• 市場份額提升空間大

• 從各細分產品的市場競爭格局來看，全球存儲芯片市場集中度較高。2021年，全球DRAM市場中三星、SK海力士、美光市場份額合計達到94%；NAND Flash市場由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士、英特爾六大原廠占據超過95%的份額，而中國大陸企業市場份額較低，這意味著國產存儲芯片廠商有著巨大的替代空間。隨著技術的不斷進步和產業發展，國產存儲芯片有望逐步搶占更多的市場份額。

• 技術長期共存發展

• EEPROM、NOR Flash和NAND Flash三類技術已發展成為非易失性存儲芯片領域的成熟技術，在不同容量區間具備性能和成本的優勢，滿足了不同應用領域的存儲需求。EEPROM在1Mbit及以下容量區間性價比高，用于存儲小規模、經常需要修改的數據；NOR Flash在512Kbit - 1Gbit容量區間性價比高，用于中低容量的代碼和數據存儲；NAND Flash主要用于1Gbit - 6Tbit的大容量數據存儲。這三類技術將在市場上長期共存，共同推動存儲芯片行業發展，國產存儲芯片也將在這一技術格局下不斷發展，針對不同需求進行技術研發和產品布局。

• 下游應用驅動發展

• 隨著AI技術的爆發式發展、5G通信的普及、云計算的發展以及汽車電子等領域的不斷進步，存儲芯片的市場需求呈現出顯著的增長態勢。例如汽車行業正在發生變化，電動化趨勢下行業進入大模塊化、中央集成化時代，ADAS進入質變階段，汽車對存儲的性能和容量要求急劇加大，單車存儲容量將很快進入TB時代，這將為國產存儲芯片帶來新的市場機遇，促使國產存儲芯片企業加大在這些領域的研發和市場拓展力度。

六、國產存儲芯片面臨的挑戰

• 技術瓶頸

• 當半導體制程走到14nm以下，半導體工藝遷移到Fin - FET（鰭式場效應晶體管）后，該技術無法直接套用在既有的一些嵌入式存儲元件上，這對存儲芯片的性能提升造成了技術障礙。而且，未來人工智能（AI）及邊緣計算（Edge Computing）等高計算能力的需求使得現存高容量存儲器，如DRAM、NAND閃存的高耗電及速度問題已無法跟上需求的腳步。隨著存儲器密度不斷提高，基本元件尺寸不斷縮小，CPU對存儲器容量需求不斷增加，這些問題在未來將會越來越嚴重，國產存儲芯片同樣面臨這些技術挑戰。

• 市場份額低

• 在全球存儲芯片市場中，國產存儲芯片企業的市場份額較低。如在DRAM和NAND Flash市場，國際大廠占據了絕大部分市場份額，這使得國產存儲芯片企業在市場競爭中面臨巨大壓力。盡管市場份額低意味著有較大的增長空間，但要從國際大廠手中搶奪份額并非易事，需要在技術、成本、市場等多方面具備強大的競爭力。

• 依賴進口

• 中國在芯片進口方面投入巨大，雖然2023年進口金額有所減少，但存儲芯片仍然依賴進口，國產存儲芯片自給率較低。這種依賴進口的現狀使得國產存儲芯片產業在國際貿易摩擦、供應短缺等情況下容易受到沖擊，對產業的穩定發展構成威脅。

• 產能與需求差距

• 目前國產存儲芯片存在產能和需求之間的差距問題。例如三星等存儲芯片巨頭宣布業績增長背后是存儲芯片價格大幅上漲，而國產存儲芯片產能可能無法滿足市場需求的增長，這可能導致市場份額難以提升，并且在市場波動時難以靈活應對，影響產業的健康發展。

七、芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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