因為專業
所以領先
3D 封裝是一種新型的電子元器件封裝技術,它采用三維結構來實現芯片、封裝和基板之間的互聯,以滿足高性能、高可靠性、小尺寸、輕量化、低功耗的要求。
特點
相比傳統二維平面封裝,具有更高的可靠性、更低的功耗和更小的封裝體積。
直接將芯片堆疊起來,通過硅穿孔來連結上下不同芯片的電子訊號。
能夠在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個封裝體內于垂直方向疊放兩個以上芯片。
封裝面積更小、功耗更低,擁有超大帶寬,但存在嚴重的散熱問題,且在長期可靠性方面受限。
優勢
多功能、高效能,單位體積上的功能及應用成倍提升。
大容量高密度,能夠在較小的空間內實現更多的功能。
降低成本,在尺寸和重量方面,3D 設計替代單芯片封裝縮小了器件尺寸、減輕了重量。
改善了芯片的許多性能,如尺寸、重量、速度、產量及耗能。
技術難點
在超高密度硅通孔技術深寬比大于 15∶1 的制備技術中,TSV 硅通孔的孔徑在不斷縮小的過程中,TSV 孔內絕緣層、粘附層和阻擋層需要進一步降低成本的方案。
三維扇出技術的可靠性問題需要解決,例如線寬如何進一步微縮到 1 微米,芯片偏移和重組后晶圓翹曲管控等難題亟待解決。
在超高密度芯片堆疊技術中,節距小于 1 微米的超高精度 C2W 無凸點鍵合技術和裝備需要進一步完善。
高密度重布線(RDL)技術面臨著亞微米級別和大于五層布線的需求,從材料到設備工藝都需要進一步研發升級。
三維芯片堆疊的散熱方式、材料和工藝需要根據芯片功耗進行優化。
3D 封裝電性、微區失效分析日趨復雜,需要在測試方面作進一步優化。
TSV 是英文 Through-Silicon Via 的縮寫,即是穿過硅基板的垂直電互連。
特點
作為唯一的垂直電互連技術,是半導體先進封裝最核心的技術之一。
具有最短的電傳輸路徑以及優異的抗干擾性能。
賦予了芯片縱向維度的集成能力。
應用廣泛,幾乎可以應用于任何芯片的封裝以及任何類型的先進封裝,包括 LED、MEMS 等。
核心技術
深硅刻蝕和電鍍是現代 TSV 的兩項核心技術。
應用和優勢
允許將由不同部分組成的復雜處理器分離在幾個不同的芯片上,垂直連接允許更多數量的連接,有助于實現更大的帶寬,而無需額外的帶寬。
能夠垂直堆疊多個芯片,大大減少了它們占用的面積。
對于像 CMOS Image Sensor(CIS,CMOS 圖像傳感器)、High Bandwidth Memory(HBM)以及 Silicon interposer(硅轉接板)都極其重要。
TSV 技術是實現 3D 封裝的關鍵技術之一。通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,為 3D 封裝提供了有效的垂直電連接方式。
硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術的最新進展,利用短的垂直電連接或通過硅晶片 的“通孔”,以建立從芯片的有效側到背面的電連接,為最終的 3D 集成創造了一條途徑。
由于 TSV 技術的誕生,半導體裸片和晶圓可以實現以較高的密度互連堆疊在一起,這也成為了先進封裝技術的標志之一。
賽微電子指出 TSV(硅通孔)技術同時是實現 3D(三維)系統集成封裝所必須的首要工藝,該項技術擁有良好的應用前景。
3D 封裝是一種封裝形式,強調的是芯片的堆疊和整體封裝結構,旨在實現更高的集成度、性能和更小的封裝體積。
TSV 技術則側重于提供芯片之間的垂直電互連通道,是實現 3D 封裝中芯片高效互聯的關鍵手段之一。
TSV 技術存在一些工藝和技術難點,如通孔的形成、相關特殊晶片的制作、通孔的金屬化和 TSV 鍵合等。而 3D 封裝面臨的挑戰更多在于散熱、長期可靠性、高密度堆疊的精度控制等方面。
先進芯片封裝清洗介紹
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