1. 縮短設計和生產周期，降低整體項目成本；

2. 在晶圓級實現高密度 I/O 互聯，縮小線距；

3. 優化電、熱特性，尤其適用于射頻/微波、高速信號傳輸、超低功耗等應用；

4. 封裝尺寸更小、用料更少，與輕薄、短小、價優的智能手機、可穿戴類產品達到完美契合；

5. 實現多功能整合，如系統級封裝（System in Package，SiP）、集成無源件（Integrated Passive Devices，IPD）等。

需要強調的一點是，與打線型封裝技術不同，用晶圓級封裝技術來實現腔內信號布線（Internal Signal Routing）有多個選項：晶圓級凸塊（Wafer Bumping）技術、再分布層（Re-Distribution Layer）技術、硅介層（Silicon Interposer）技術、硅穿孔（Through Silicon Via）技術等。

先進晶圓級封裝技術的五大要素

先進晶圓級封裝技術是現代半導體制造中不可或缺的一部分，它對于提高芯片性能、減小封裝體積以及降低成本具有重要意義。根據搜索結果，先進晶圓級封裝技術主要包括以下五大要素：

1. 晶圓級凸塊（Wafer Bumping）技術

晶圓級凸塊技術是在切割晶圓之前，于晶圓的預設位置上形成或安裝焊球（亦稱凸塊）。這是實現芯片與PCB或基板互連的關鍵技術。凸塊的選材、構造、尺寸設計受到多種因素的影響，例如封裝大小、成本以及電氣、機械、散熱等性能要求。常見的凸塊工藝包括印刷型凸點技術、共晶電鍍型落球技術、無鉛合金凸點技術和銅支柱合金凸點技術。

2. 扇入型（Fan-In）晶圓級封裝技術

扇入型晶圓級封裝技術，也稱為晶圓級芯片規模封裝（Wafer Level Chip Scale Package, WLCSP），是當今各類晶圓級封裝技術中的主力。這種技術的全球出貨量每年保持在三百億顆以上，主要供應手機、智能穿戴等便攜型電子產品市場。

3. 扇出型（Fan-Out）晶圓級封裝技術

扇出型晶圓級封裝技術是另一種重要的封裝技術。與扇入型技術不同，扇出型技術能夠提供更多的I/O觸點，適用于需要大量輸入輸出接口的復雜芯片。這種技術通過將芯片的I/O觸點重新布局到占位更為寬松的區域，并形成面陣列排布，從而減少后續的封裝或表面貼裝的難度。

4. 2.5D晶圓級封裝技術（包含IPD）

2.5D晶圓級封裝技術是一種介于2D和3D封裝之間的技術，它能夠在不增加太多成本的情況下，提供比傳統2D封裝更好的性能。這種技術通常包含IPD（Integrated Passive Device，集成無源器件），可以實現更高效的信號傳輸和更低的功耗。

5. 3D晶圓級封裝技術（包含IPD）

3D晶圓級封裝技術是目前最先進的封裝技術之一，它能夠在垂直方向上堆疊多個芯片，從而大幅減小封裝體積。這種技術同樣包含IPD，可以實現更復雜的電路設計和更高的集成度。3D封裝技術的關鍵在于TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技術，這種技術能夠提供貫通硅晶圓裸片的垂直互連，用最短路徑將硅片一側和另一側進行電氣連通。

綜上所述，先進晶圓級封裝技術的五大要素包括晶圓級凸塊技術、扇入型晶圓級封裝技術、扇出型晶圓級封裝技術、2.5D晶圓級封裝技術以及3D晶圓級封裝技術。這些技術的發展和應用推動了半導體行業向更高性能、更小體積和更低功耗的方向發展。

先進芯片封裝清洗介紹

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

合明科技運用自身原創的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

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