一、車規(guī)級(jí)超級(jí)結(jié)技術(shù)概述

車規(guī)級(jí)超級(jí)結(jié)技術(shù)是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體技術(shù)，它在傳統(tǒng)的超級(jí)結(jié)MOSFET的基礎(chǔ)上，增加了額外的要求和改進(jìn)，以滿足汽車行業(yè)的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。這種技術(shù)主要用于制造高性能的電力開關(guān)器件，它們需要在汽車的高壓電氣系統(tǒng)中安全、高效地工作，如車載充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等

二、車規(guī)級(jí)超級(jí)結(jié)技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域

車規(guī)級(jí)超級(jí)結(jié)技術(shù)被廣泛運(yùn)用于各個(gè)汽車領(lǐng)域，如電動(dòng)車充電樁，需要承受較高的電壓和電流沖擊，車規(guī)級(jí)超級(jí)結(jié)MOSFET能夠提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的控制性能，確保充電樁的安全可靠運(yùn)行。

此外，超級(jí)結(jié)技術(shù)還可用于為車載電源系統(tǒng)提供穩(wěn)定電力，它能夠優(yōu)化電源系統(tǒng)的效率和可靠性，確保汽車在各種工況下都能正常運(yùn)行。

1. 安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體在車規(guī)級(jí)MOSFET技術(shù)的發(fā)展上展現(xiàn)出顯著的創(chuàng)新力，例如他們推出采用創(chuàng)新頂部冷卻技術(shù)的MOSFET器件，采用TCPAK57封裝，具有5mm×7mm的尺寸，并在頂部提供了16.5mm2的熱焊盤，有效提高了散熱效率。

安森美的MOSFET器件提供高功率應(yīng)用所需的電氣效率，RDS(ON)值低至1mΩ，柵極電荷(Qg)也較低（65nC），降低了高速開關(guān)應(yīng)用中的損耗。這些特性使得安森美的MOSFET在電機(jī)控制和DC-DC轉(zhuǎn)換等具挑戰(zhàn)的汽車應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

2. 東微半導(dǎo)體

東微半導(dǎo)是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體公司，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車及工業(yè)相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET。

GreenMOS系列高壓超級(jí)結(jié)MOSFET全部采用超級(jí)結(jié)技術(shù)原理，具有開關(guān)速度快、動(dòng)態(tài)損耗低、可靠性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。另一核心產(chǎn)品中低壓屏蔽柵MOSFET，兼具平面結(jié)構(gòu)和屏蔽柵結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)，具備穩(wěn)定工藝水平和高可靠性。

3. 瞻芯電子

瞻芯電子依托自建的SiC晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品。與第一代產(chǎn)品相比，第二代SiC MOSFET優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，降低了約25%的比導(dǎo)通電阻，顯著降低了開關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)效率。是中國(guó)第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品及工藝平臺(tái)的公司。

４. 英飛凌

英飛凌不斷提供最新的汽車MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品基于其領(lǐng)先的MOSFET技術(shù)、卓越的品質(zhì)和堅(jiān)固的封裝，具有卓越的性能。

英飛凌提供了多種已通過AEC-Q101以上認(rèn)證的N溝道、P溝道和雙通道MOSFET產(chǎn)品，適用于汽車應(yīng)用。他們的OptiMOS?功率MOSFET產(chǎn)品組合提供了20 V至300 V的標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量、堅(jiān)固耐用的封裝和RDS(on)低至0.4 mΩ。

５. 飛锃半導(dǎo)體

飛锃半導(dǎo)體在2023年11月展出了車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，包括1200V、35/70/160mΩ和650V、30/45/60mΩ規(guī)格。他們的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET是第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，通過工藝優(yōu)化降低了單位晶圓面積內(nèi)的導(dǎo)通電阻，開關(guān)性能也得到了優(yōu)化。

三、車規(guī)級(jí)超級(jí)結(jié)技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)車規(guī)級(jí)超級(jí)結(jié)技術(shù)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)在未來幾年內(nèi)，隨著國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程的加速，國(guó)內(nèi)企業(yè)在這一領(lǐng)域的技術(shù)水平將進(jìn)一步提升，有望打破國(guó)際大廠的壟斷局面，并在新能源汽車、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域的應(yīng)用更加廣泛。

 四、車規(guī)級(jí)IGBT 模塊芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。