因為專業
所以領先
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因為專業
所以領先
清洗工藝
RCA-1清洗（去除有機污染物）：使用氨水、過氧化氫和去離子水的混合溶液。這個步驟主要去除晶圓表面的有機污染物、顆粒和金屬離子。
RCA-2清洗（去除金屬離子）：使用鹽酸、過氧化氫和去離子水的混合溶液。主要去除金屬離子和一些難以去除的無機污染物。
b. Piranha清洗
使用硫酸和過氧化氫的混合溶液。Piranha清洗非常有效地去除有機物和表面污染物，常用于初步清洗。
c. HF清洗（氫氟酸清洗）
使用稀釋氫氟酸溶液，主要用于去除氧化層和一些硅表面污染物。
d. Megasonic清洗
利用超聲波（通常在MHz范圍內）產生的空化效應，能夠高效地去除微小顆粒和其他污染物，適用于敏感的表面清洗。
e. 氣相清洗
使用氣體或氣溶膠進行清洗，典型方法包括使用臭氧和過氧化氫蒸汽。此方法適用于去除一些特定的污染物，并且對表面損傷較小。
f. 噴淋清洗
通過高壓噴淋去離子水或清洗液體來清洗晶圓表面，通常與旋轉裝置結合使用以增加清洗效果。
g. 化學機械拋光（CMP）后的清洗
CMP過程后，需要進行嚴格的清洗以去除拋光后的殘留物和顆粒。通常使用氨水和過氧化氫的混合溶液。
h. 去離子水沖洗和干燥
最后的步驟通常是使用高純度的去離子水進行沖洗，然后通過旋轉干燥或其他干燥技術（如Marangoni干燥）進行干燥，以避免水漬和斑點的形成。
總之，晶圓準備是半導體制造過程中關鍵的一步，因為它為制造高質量的電子器件奠定了基礎。通過仔細控制晶體生長、晶圓切割、拋光和清洗過程，制造商可以確保其晶圓滿足生產可靠、高性能半導體器件所需的嚴格要求。
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