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汽車級IGBT模塊工藝制程
汽車級IGBT模塊的工藝制程涉及到多個關鍵步驟,包括晶圓生產、芯片設計、芯片制造、器件封裝以及最終的測試和質量控制。以下是詳細的工藝流程:
一、晶圓生產
· 硅提粹和純化: 這是IGBT芯片生產的第一步,目的是去除硅中的雜質,使其變得純凈。
· 單晶硅生長: 在這個步驟中,通過特定的技術將純硅轉化為單晶硅,用于制造IGBT芯片。
· 晶圓制造: 最后,通過切割和打磨等工藝,將大的硅塊制成適合芯片制造的小型晶圓。
二、芯片設計
· IGBT的關鍵前期流程: 芯片設計是確保IGBT模塊性能的關鍵步驟。當前商業產品主要基于Trench-FS設計。
· 不同廠家的IGBT芯片具有不同特點: 各家廠家在IGBT芯片設計上可能會有所不同,這會影響到最終IGBT模塊的性能。
三、芯片制造
· 高度依賴產線設備和工藝: 芯片制造是一個精密的過程,需要先進的設備和精細的工藝。
· 全球只有少數幾家公司能夠制造頂級光刻機: 光刻機是制造先進集成電路的關鍵設備,目前只有少數公司能夠生產。
· 背面工藝方面,國內與國際仍存在一些差距: 在某些高端工藝上,國內與國際仍有差距。
四、器件封裝
· DBC基板: 該基板由三層組成,用于絕緣、導熱,并可以在銅箔上刻蝕出各種圖形。
· IGBT芯片和二極管芯片的焊接: 通過真空焊接或超聲波焊接技術將IGBT和二極管芯片固定到DBC基板上。
· DBC基板和銅底板的焊接: 然后將DBC基板焊接到銅底板上,以增強散熱效果。
· 安裝外殼、灌注硅膠、密封: 這些步驟是為了保護IGBT模塊免受機械損傷、化學腐蝕和其他外界因素的侵害。
· 終測: 在完成所有封裝步驟后,會對封裝好的IGBT模塊進行電氣測試、熱測試和機械測試。
五、散熱設計
· 散熱基板的作用及種類: 散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結構與通道,有針翅式和平底式兩種類型。
· 直接液冷散熱和間接液冷散熱: 直接液冷散熱效率更高,但成本也更高;間接液冷散熱成本較低,但散熱效率相對較低。
六、封裝材料的選擇
· 封裝材料需要具有良好的電氣絕緣性、化學穩定性和熱導率: 常見的封裝材料有環氧樹脂、硅膠等。
封裝設計的環保考慮
· 對環境因素的考慮: 包括使用環保的材料、減少有毒物質的排放、回收和再利用封裝材料等。
七、汽車級 IGBT 模塊芯片封裝清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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以上就是汽車級IGBT模塊的工藝制程。需要注意的是,具體的工藝細節可能會因廠家的不同而有所差異。