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英特爾展示前沿晶體管微縮技術突破：3D堆疊、背面供電、背面觸點

合明科技 ?? 2381 Tags：3D堆疊CMOS晶體管英特爾氮化鎵（GaN）

2023年12月9日，英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國際電子器件會議）上展示了多項技術突破，為其未來的制程路線圖提供了豐富的創新技術儲備，充分說明了摩爾定律仍在不斷演進。

具體而言，英特爾研究人員在大會上展示了結合背面供電和直接背面觸點（direct backside contacts）的3D堆疊CMOS晶體管，分享了近期背面供電研發突破的擴展路徑（如背面觸點），并率先在同一塊300毫米晶圓上，而非封裝中，成功實現了硅晶體管與氮化鎵（GaN）晶體管的大規模單片3D集成。
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晶體管微縮和背面供電是滿足世界對更強大算力指數級增長需求的關鍵。一直以來，英特爾始終致力于滿足算力需求，表明其技術創新將繼續推動半導體行業發展，也仍然是摩爾定律的“基石”。英特爾組件研究團隊不斷拓展工程技術的邊界，包括晶體管堆疊，背面供電技術的提升（有助于晶體管的進一步微縮和性能提升），以及將不同材料制成的晶體管集成在同一晶圓上。
英特爾近期在制程技術路線圖上的諸多進展，包括PowerVia背面供電技術、用于先進封裝的玻璃基板和Foveros Direct，彰顯了英特爾正在通過技術創新不斷微縮晶體管。這些創新技術均源自英特爾組件研究團隊，預計將在2030年前投產。
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在IEDM 2023上，英特爾組件研究團隊同樣展示了其在技術創新上的持續投入，以在實現性能提升的同時，在硅上集成更多晶體管。研究人員確定了所需的關鍵研發領域，旨在通過高效堆疊晶體管繼續實現微縮。結合背面供電和背面觸點，這些技術將意味著晶體管架構技術的重大進步。隨著背面供電技術的完善和新型2D通道材料的采用，英特爾正致力于繼續推進摩爾定律，在2030年前實現在單個封裝內集成一萬億個晶體管。

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