晶圓清洗工藝之Ohmi清洗、兆聲和超聲清洗

晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或襯底的情況下去除化學和顆粒雜質（下圖）。晶圓清洗是為了預擴散清洗，即使其表面不受金屬、顆粒和有機物的污染。金屬離子清洗，即去除對半導體器件運行有不利影響的金屬離子；顆粒清洗指的是使用化學或機械擦洗去除表面的顆粒，使用兆速清洗和蝕刻后清洗去除蝕刻過程后留下的光阻和聚合物。

接下來小編針對硅晶圓清洗的不同程序，對Ohmi清洗、兆聲和超聲清洗給大家做個簡單的介紹，希望能對您有所幫助！

晶圓 Ohmi清洗

Ohmi清洗步驟少，溫度低。圖3描述了Ohmi清洗過程的詳細步驟。

晶圓兆聲和超聲清洗

在超聲波清洗過程中，通過高頻振動（20～45 kHz）對清洗液進行機械震蕩，導致空化并形成低壓蒸汽泡擦洗表面。頻率越高（>45kHz），晶圓表面氣泡越小，效率越低。然而兆聲波 (1MHz)清洗在去除粒子方面也很有效。這兩種工藝對于去除硅晶圓表面污染物是非常有效的。

最后我們說下晶圓清洗的潔凈室

潔凈室是所有這些清潔過程發生的地方，并在這里采取措施減少顆粒污染。潔凈室內的溫度、濕度、壓力等參數均由高效微粒空氣（HEPA）過濾器和超低微粒空氣（ULPA）過濾器等關鍵部件控制。潔凈室按兩個標準分類（圖4~5），即ISO等效和FED STD 209E等效。這種分類是根據每體積空氣中允許的顆粒數來進行的。

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