芯片封裝工藝流程概述

芯片封裝是半導(dǎo)體生產(chǎn)的后段加工制作工序，其目的在于確保芯片經(jīng)過(guò)封裝之后具有較強(qiáng)的機(jī)械性能、良好的電氣性能和散熱性能，從而對(duì)芯片起到機(jī)械和環(huán)境保護(hù)的作用，保證芯片能夠保持高效穩(wěn)定的正常工作。

芯片封裝工藝流程主要包括以下步驟：

• 芯片切割：先在芯片背面貼上藍(lán)膜并置于鐵環(huán)之上，之后再送至芯片切割機(jī)上進(jìn)行切割，目的是用切割機(jī)將晶圓上的芯片切割分離成單個(gè)晶粒。這一步驟是將晶圓上眾多的芯片分割開(kāi)來(lái)，為后續(xù)的單個(gè)芯片封裝做準(zhǔn)備。例如在大規(guī)模生產(chǎn)中，晶圓上可能有成百上千個(gè)芯片，通過(guò)精確的切割才能得到獨(dú)立的芯片單元。在切割過(guò)程中，需要借助精密的設(shè)備和技術(shù)，以確保每個(gè)晶粒的完整性和質(zhì)量，避免切割過(guò)程中對(duì)芯片造成損傷 。

• 晶粒黏貼：先將晶粒黏著在導(dǎo)線架（也叫作晶粒座，預(yù)設(shè)有延伸IC晶粒電路的延伸腳）上，用銀膠對(duì)晶粒進(jìn)行黏著固定。這一步將切割后的晶粒準(zhǔn)確地放置在特定的位置上，為后續(xù)的電路連接等操作奠定基礎(chǔ)。銀膠具有良好的導(dǎo)電性和黏附性，能夠確保晶粒牢固地粘貼在導(dǎo)線架上，并且能夠?qū)崿F(xiàn)有效的電氣連接 。

• 焊線：將晶粒上之接點(diǎn)設(shè)為第一個(gè)焊點(diǎn)，內(nèi)部引腳上接點(diǎn)為第二焊點(diǎn)，先把金線之端點(diǎn)燒成小球，再將小球壓焊在第一焊點(diǎn)上，然后依設(shè)計(jì)好的路徑拉金線，把金線壓焊在第二點(diǎn)上完成一條金線之焊線動(dòng)作。焊線的目的是將晶粒上的接點(diǎn)用金線或者鋁線銅線連接到導(dǎo)線架上之內(nèi)的引腳，從而將ic晶粒之電路訊號(hào)傳輸?shù)酵饨纭＿@一過(guò)程實(shí)現(xiàn)了芯片內(nèi)部電路與外部引腳的電氣連接，是芯片能夠與外部電路進(jìn)行信號(hào)交互的關(guān)鍵步驟。在實(shí)際操作中，需要精確控制焊接的位置和力度，以確保焊接的質(zhì)量和穩(wěn)定性 。

• 封膠：將導(dǎo)線架預(yù)熱，再將框架置于壓鑄機(jī)上的封裝模具上，再以半溶化后的樹(shù)脂擠入模中，樹(shù)脂硬化后便可開(kāi)模取出成品。封膠能夠防止?jié)駳獾扔赏獠壳秩耄行У貙?nèi)部產(chǎn)生的熱量排出外部，提供能夠手持的形體。它為芯片提供了物理保護(hù)，使其能夠抵御外界的物理沖擊、潮濕、灰塵等不利因素的影響，同時(shí)也有助于芯片的散熱管理 。

• 切腳成型：封膠之后，需要先將導(dǎo)線架上多余的殘膠去除，經(jīng)過(guò)電鍍以增加外引腳的導(dǎo)電性及抗氧化性，而后再進(jìn)行切腳成型。這一步驟對(duì)芯片的引腳進(jìn)行處理，使其符合特定的電氣和機(jī)械要求，便于芯片與電路板等外部設(shè)備的連接。例如，通過(guò)切腳成型可以將引腳調(diào)整到合適的長(zhǎng)度和形狀，確保在電路板上的安裝精度和電氣連接的可靠性 。

此外，在整個(gè)芯片封裝流程完成后，還可能需要進(jìn)行一些后續(xù)處理，如去膠、去緯、去框等等，最后再進(jìn)行測(cè)試檢驗(yàn)，只有當(dāng)所有流程走完并且確保芯片沒(méi)有問(wèn)題時(shí)，芯片才能夠正常的工作。

常見(jiàn)芯片封裝工藝類型

芯片封裝的類型多種多樣，以下是一些常見(jiàn)的芯片封裝工藝類型：

• DIP直插式封裝：

• DIP是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，這種封裝類型歷史悠久。例如51單片機(jī)、AC - DC控制器、光耦運(yùn)放等都采用這種封裝類型。

• 采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，可以通過(guò)專用底座進(jìn)行使用，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進(jìn)行焊接。這種封裝方式對(duì)于插在底座上使用的芯片來(lái)說(shuō)易于更換，焊接難度很低，只需要電烙鐵便可以進(jìn)行焊接裝配，這使得它在一些對(duì)成本要求較低、對(duì)焊接技術(shù)要求不高的應(yīng)用場(chǎng)景中廣泛應(yīng)用，如一些簡(jiǎn)單的電子設(shè)備原型制作或?qū)S修便利性要求較高的設(shè)備中 。

• LGA封裝：

• LGA封裝為底部方形焊盤(pán)，區(qū)別于QFN封裝，在芯片側(cè)面沒(méi)有焊點(diǎn)，焊盤(pán)均在底部。

• 這種封裝對(duì)焊接要求相對(duì)較高，對(duì)于芯片封裝的設(shè)計(jì)也有很高的要求，否則批量生產(chǎn)很容易造成虛焊以及短路的情況。不過(guò)，在小體積、高級(jí)程度的應(yīng)用場(chǎng)景中這種封裝的使用較多，因?yàn)樗軌驖M足一些對(duì)空間和性能要求較高的設(shè)備需求，例如一些高性能的計(jì)算機(jī)處理器或小型化的智能設(shè)備芯片 。

• LQFP/TQFP封裝：

• PQFP/TQFP封裝的芯片四周均有引腳，引腳之間距離很小、管腳很細(xì)。這種形式封裝的芯片可通過(guò)回流焊進(jìn)行焊接，焊盤(pán)為單面焊盤(pán)，不需要打過(guò)孔。

• 它在焊接上相對(duì)DIP封裝的難度較大，但目前許多單片機(jī)和集成芯片都在使用這種封裝。由于此封裝自帶突出引腳，在運(yùn)輸焊接過(guò)程中需要小心，防止引腳彎曲或損壞。這種封裝形式適合于對(duì)芯片引腳密度要求較高的應(yīng)用，如一些復(fù)雜的集成電路板上的芯片封裝，能夠在有限的芯片周邊面積上提供較多的引腳連接 。

• QFN封裝：

• QFN是一種無(wú)引線四方扁平封裝，是具有外設(shè)終端墊以及一個(gè)用于機(jī)械和熱量完整性暴露的芯片墊的無(wú)鉛封裝。在芯片底部大多數(shù)會(huì)設(shè)計(jì)一塊較大的地平面，對(duì)于功率型IC，該平面會(huì)很好的解決散熱問(wèn)題，通過(guò)PCB的銅皮設(shè)計(jì)，可以將熱量更快的傳導(dǎo)出去，該封裝可為正方形或長(zhǎng)方形。

• 封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于無(wú)引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低，為目前比較流行的封裝類型，廣泛應(yīng)用于各種對(duì)空間和散熱有要求的芯片封裝場(chǎng)景，如一些小型化的移動(dòng)設(shè)備中的芯片封裝 。

• BGA(球柵陣列)封裝：

• 隨著集成技術(shù)的進(jìn)步、設(shè)備的改進(jìn)和深亞微米技術(shù)的使用，硅單芯片集成度不斷提高，對(duì)集成電路封裝要求更加嚴(yán)格，I/O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大。BGA封裝是一種電子元件封裝技術(shù)，它是指將電子元件封裝在一個(gè)多層、由金屬和陶瓷組成的球形結(jié)構(gòu)中。

• BGA封裝可以提供更好的熱傳導(dǎo)性能和更小的封裝尺寸，它能夠提供更多的連接點(diǎn)，比普通的插件封裝多出幾倍，因此可以提供更高的信號(hào)完整性和更低的電阻，還可以提供更高的功率密度，以及更低的電磁干擾(EMI)。這種封裝類型在現(xiàn)代高性能、高集成度的芯片封裝中得到廣泛應(yīng)用，如計(jì)算機(jī)的中央處理器、高端圖形處理芯片等 。

• SO類型封裝：

• SO類型封裝有很多種類，可以分為:SOP(小外形封裝)、TOSP(薄小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、VSOP(甚小外形封裝)、SOIC(小外形集成電路封裝)等類似于QFP形式的封裝，只有兩邊有管腳的芯片封裝形式，該類型的封裝是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈"L"字形。

• 這種類型封裝的典型特點(diǎn)就是在封裝芯片的周圍做出很多引腳，封裝操作方便、可靠性比較高、焊接也比較方便，如常見(jiàn)的SOP - 8等封裝在各種類型的芯片中被大量使用，特別適用于一些對(duì)封裝尺寸和引腳數(shù)量有一定要求的普通電子設(shè)備中的芯片封裝，如消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的一些小型芯片 。

芯片封裝工藝的關(guān)鍵步驟

芯片封裝工藝包含多個(gè)關(guān)鍵步驟，每個(gè)步驟都對(duì)最終芯片的性能、可靠性等有著重要影響：

• 芯片切割：

• 準(zhǔn)備工作：在切割之前，需要先在芯片背面貼上藍(lán)膜并置于鐵環(huán)之上。藍(lán)膜的作用是在切割時(shí)固定芯片，防止芯片在切割過(guò)程中發(fā)生位移，確保切割的精度。鐵環(huán)則為芯片提供支撐，便于將芯片送入切割機(jī)進(jìn)行切割操作。

• 切割設(shè)備與技術(shù)：通常使用芯片切割機(jī)進(jìn)行切割，切割的目的是將晶圓上的芯片切割分離成單個(gè)晶粒。這一過(guò)程需要精確控制，因?yàn)榫A上的芯片密度很高，切割時(shí)要避免對(duì)芯片造成損傷。一些先進(jìn)的切割設(shè)備會(huì)采用高速旋轉(zhuǎn)的刀具，并配合精密的視覺(jué)定位系統(tǒng)，確保切割路徑的準(zhǔn)確性。例如，在大規(guī)模生產(chǎn)中，對(duì)于直徑較大的晶圓（如12英寸晶圓），要將上面的芯片準(zhǔn)確切割成單個(gè)晶粒，就需要高精度的切割設(shè)備和技術(shù)。如果切割出現(xiàn)偏差，可能會(huì)導(dǎo)致芯片邊緣破損，影響芯片的性能和成品率 。

• 晶粒黏貼：

• 黏著材料選擇：晶粒黏貼時(shí)使用銀膠對(duì)晶粒進(jìn)行黏著固定。銀膠具有良好的導(dǎo)電性和黏附性，能夠確保晶粒與導(dǎo)線架之間形成牢固的連接，并且能夠?qū)崿F(xiàn)有效的電氣傳導(dǎo)。銀膠的質(zhì)量直接影響到晶粒黏貼的牢固程度和電氣性能，如果銀膠的導(dǎo)電性不好，可能會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳輸受阻；如果黏附性差，則可能會(huì)出現(xiàn)晶粒松動(dòng)的情況。

• 粘貼位置準(zhǔn)確性：需要將晶粒準(zhǔn)確地黏著在導(dǎo)線架（也叫晶粒座，預(yù)設(shè)有延伸IC晶粒電路的延伸腳）上。導(dǎo)線架的延伸腳是為了后續(xù)連接外部電路而設(shè)計(jì)的，因此晶粒粘貼的位置必須精確，以保證后續(xù)焊線等操作能夠順利進(jìn)行。例如，在一些多芯片封裝的情況下，如果晶粒粘貼位置不準(zhǔn)確，可能會(huì)導(dǎo)致芯片之間的信號(hào)傳輸出現(xiàn)問(wèn)題，影響整個(gè)芯片模塊的功能 。

• 焊線：

• 焊點(diǎn)形成與焊接：將晶粒上之接點(diǎn)設(shè)為第一個(gè)焊點(diǎn)，內(nèi)部引腳上接點(diǎn)為第二焊點(diǎn)。先把金線之端點(diǎn)燒成小球，再將小球壓焊在第一焊點(diǎn)上，然后依設(shè)計(jì)好的路徑拉金線，把金線壓焊在第二點(diǎn)上完成一條金線之焊線動(dòng)作。這個(gè)過(guò)程中，金球的形成質(zhì)量和焊接的壓力、時(shí)間等參數(shù)對(duì)焊接質(zhì)量至關(guān)重要。如果金球大小不均勻或者焊接壓力過(guò)大、時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，可能會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)不牢固或者出現(xiàn)短路等問(wèn)題。

• 焊接材料特性：通常使用金線或者鋁線、銅線進(jìn)行連接。金線具有良好的導(dǎo)電性、抗氧化性和延展性，能夠滿足芯片內(nèi)部微小間距的焊接要求。在一些對(duì)成本較為敏感的應(yīng)用中，也會(huì)考慮使用鋁線或銅線。不同的焊接材料在導(dǎo)電性、熔點(diǎn)、機(jī)械強(qiáng)度等方面存在差異，需要根據(jù)芯片的具體要求進(jìn)行選擇。例如，金線的導(dǎo)電性優(yōu)于鋁線，但成本也相對(duì)較高，所以在一些對(duì)成本要求嚴(yán)格的大規(guī)模生產(chǎn)芯片中，可能會(huì)在滿足性能要求的前提下選擇鋁線進(jìn)行焊線操作 。

• 封膠：

• 材料準(zhǔn)備與預(yù)熱：封膠使用的是樹(shù)脂材料。在封膠之前，需要將導(dǎo)線架預(yù)熱，這是為了使樹(shù)脂在注入模具后能夠更好地填充和固化。預(yù)熱的溫度和時(shí)間需要根據(jù)樹(shù)脂的特性和封裝的要求進(jìn)行精確控制。如果預(yù)熱溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，可能會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)線架變形；如果預(yù)熱不足，則可能會(huì)影響樹(shù)脂的填充效果和固化質(zhì)量。

• 注入與固化：將預(yù)熱后的框架置于壓鑄機(jī)上的封裝模具上，再以半溶化后的樹(shù)脂擠入模中，樹(shù)脂硬化后便可開(kāi)模取出成品。在樹(shù)脂注入過(guò)程中，要確保樹(shù)脂均勻地填充到模具中，避免出現(xiàn)氣泡或空洞。這些缺陷可能會(huì)影響芯片的散熱性能和機(jī)械保護(hù)性能。樹(shù)脂的固化過(guò)程也需要合適的條件，如溫度、壓力和時(shí)間等，以保證固化后的樹(shù)脂具有足夠的強(qiáng)度和穩(wěn)定性，能夠有效地保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)提供良好的散熱通道 。

• 切腳成型：

• 殘膠去除與電鍍：封膠之后，首先要將導(dǎo)線架上多余的殘膠去除干凈。殘膠如果不去除，可能會(huì)影響后續(xù)的電鍍效果和引腳的電氣性能。去除殘膠后進(jìn)行電鍍，電鍍的目的是增加外引腳的導(dǎo)電性及抗氧化性。電鍍的工藝參數(shù)，如電鍍液的成分、電鍍的電流密度、電鍍時(shí)間等，都會(huì)影響電鍍層的質(zhì)量。例如，如果電鍍層厚度不均勻，可能會(huì)導(dǎo)致引腳的導(dǎo)電性不一致，影響芯片與外部電路的連接效果。

• 切割與成型操作：經(jīng)過(guò)電鍍后進(jìn)行切腳成型。這一操作是將導(dǎo)線架上已封裝完成的晶粒，剪切分離并將不需要的連接用材料切除，然后將引腳調(diào)整到合適的形狀和長(zhǎng)度。在切腳成型過(guò)程中，要確保切割的精度和引腳形狀的準(zhǔn)確性，以滿足芯片在電路板上的安裝要求。如果引腳長(zhǎng)度過(guò)長(zhǎng)或過(guò)短，可能會(huì)導(dǎo)致焊接困難或者與電路板上的其他元件發(fā)生短路等問(wèn)題 。

芯片封裝工藝流程實(shí)例分析

以傳統(tǒng)的打線封裝工藝為例：

• 初始準(zhǔn)備：

• 首先要有晶圓，晶圓是芯片的基礎(chǔ)材料，上面集成了眾多的芯片電路。在封裝之前，晶圓可能已經(jīng)經(jīng)過(guò)了前段制程的加工，如光刻、蝕刻、摻雜等工序，這些工序在晶圓上形成了復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。例如，在一個(gè)12英寸的晶圓上，可能已經(jīng)制作好了數(shù)以百計(jì)的芯片電路，這些電路需要通過(guò)封裝工序來(lái)實(shí)現(xiàn)與外部的連接并獲得保護(hù)。

• 同時(shí)，需要準(zhǔn)備好封裝所需的材料和設(shè)備，如用于晶粒黏貼的銀膠、用于焊線的金線、導(dǎo)線架、封裝模具、樹(shù)脂等材料，以及芯片切割機(jī)、壓鑄機(jī)、焊線機(jī)等設(shè)備。這些材料和設(shè)備的質(zhì)量和性能直接影響到封裝的質(zhì)量和效率。

• 芯片切割：

• 按照前面提到的芯片切割步驟，先在芯片背面貼上藍(lán)膜并置于鐵環(huán)之上，再將其送至芯片切割機(jī)進(jìn)行切割。在這個(gè)過(guò)程中，假設(shè)晶圓上有500個(gè)芯片，通過(guò)精確的切割操作，將每個(gè)芯片從晶圓上分離出來(lái)，形成單個(gè)的晶粒。這個(gè)步驟的切割精度要求非常高，例如切割的誤差可能需要控制在微米級(jí)別，以確保每個(gè)晶粒的完整性和性能。如果切割出現(xiàn)問(wèn)題，比如某個(gè)晶粒被切割損壞，那么這個(gè)晶粒就無(wú)法進(jìn)行后續(xù)的封裝操作，從而影響成品率。

• 晶粒黏貼：

• 將切割好的晶粒黏著在導(dǎo)線架上，使用銀膠進(jìn)行固定。假設(shè)導(dǎo)線架是一種具有特定引腳布局的金屬框架，晶粒需要準(zhǔn)確地粘貼在預(yù)設(shè)的位置上。例如，對(duì)于一個(gè)具有特定功能的芯片，其晶粒上的電路接點(diǎn)需要與導(dǎo)線架上的延伸腳精確對(duì)應(yīng)，這樣才能保證后續(xù)的焊線操作能夠正確地將芯片內(nèi)部電路與外部引腳連接起來(lái)。如果晶粒粘貼位置出現(xiàn)偏差，可能會(huì)導(dǎo)致焊線無(wú)法正常連接，或者連接后信號(hào)傳輸出現(xiàn)問(wèn)題。

• 焊線：

• 把晶粒上的接點(diǎn)作為第一個(gè)焊點(diǎn)，內(nèi)部引腳上的接點(diǎn)作為第二個(gè)焊點(diǎn)。先將金線端點(diǎn)燒成小球，然后將小球壓焊在第一個(gè)焊點(diǎn)上，再按照設(shè)計(jì)好的路徑拉金線并壓焊在第二個(gè)焊點(diǎn)上完成焊線動(dòng)作。例如，對(duì)于一個(gè)具有多個(gè)引腳的芯片，可能需要進(jìn)行幾十條金線的焊接操作。在這個(gè)過(guò)程中，每一條金線的焊接質(zhì)量都至關(guān)重要。如果某一條金線焊接不牢固或者出現(xiàn)短路情況，都會(huì)影響芯片的正常功能。焊接完成后，芯片內(nèi)部的電路就通過(guò)金線與導(dǎo)線架上的引腳建立了電氣連接，從而可以與外部電路進(jìn)行信號(hào)傳輸。

• 封膠：

• 對(duì)導(dǎo)線架進(jìn)行預(yù)熱，然后將框架置于壓鑄機(jī)上的封裝模具上，以半溶化后的樹(shù)脂擠入模中。假設(shè)使用的是一種具有良好散熱和絕緣性能的環(huán)氧樹(shù)脂，樹(shù)脂在模具中填充并包圍芯片和導(dǎo)線架。在這個(gè)過(guò)程中，要確保樹(shù)脂均勻地填充到模具的各個(gè)角落，避免出現(xiàn)氣泡或空洞。例如，如果出現(xiàn)氣泡，可能會(huì)在芯片工作時(shí)影響散熱效果，甚至可能導(dǎo)致芯片局部過(guò)熱而損壞。樹(shù)脂硬化后開(kāi)模取出成品，此時(shí)芯片就被封裝在樹(shù)脂內(nèi)部，得到了物理保護(hù)和一定的散熱管理。

• 切腳成型：

• 去除導(dǎo)線架上多余的殘膠，然后進(jìn)行電鍍以增加外引腳的導(dǎo)電性及抗氧化性。假設(shè)電鍍層采用的是一種金屬鍍層，如鎳或金。電鍍完成后，進(jìn)行切腳成型操作，將不需要的連接部分切除，并將引腳調(diào)整到合適的形狀和長(zhǎng)度。例如，對(duì)于要安裝在電路板上的芯片，引腳的長(zhǎng)度需要符合電路板的設(shè)計(jì)要求，形狀可能需要彎曲成特定的角度，以便能夠順利插入電路板的焊孔或者與表面貼裝技術(shù)相匹配。如果切腳成型操作不當(dāng)，可能會(huì)導(dǎo)致芯片無(wú)法正確安裝在電路板上，或者在使用過(guò)程中出現(xiàn)引腳松動(dòng)等問(wèn)題。

• 后續(xù)處理與測(cè)試：

• 在完成切腳成型后，還可能需要進(jìn)行一些后續(xù)處理，如去膠、去緯、去框等操作，以確保芯片的外觀和性能符合要求。然后進(jìn)行測(cè)試檢驗(yàn)，測(cè)試包括一般的目檢、電氣性能測(cè)試和老化試驗(yàn)等。目檢主要是檢查芯片的外觀是否有缺陷，如引腳是否彎曲、封裝是否有破損等；電氣性能測(cè)試則是檢測(cè)芯片的各項(xiàng)電氣參數(shù)是否符合標(biāo)準(zhǔn)，如電壓、電流、電阻等；老化試驗(yàn)是通過(guò)模擬芯片在長(zhǎng)時(shí)間工作后的情況，檢測(cè)芯片的可靠性和穩(wěn)定性。只有經(jīng)過(guò)所有測(cè)試并且合格的芯片才能夠正常投入使用。

最新芯片封裝工藝流程發(fā)展

隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片封裝工藝流程也在不斷演進(jìn)：

• 晶圓級(jí)封裝技術(shù)的發(fā)展：

• 扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan - In WLCSP）：在扇入型晶圓級(jí)芯片封裝中，合格晶圓

芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

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